吴茹菲
- 作品数：42 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理更多>>
- 一种新型GaAs PIN二极管等效电路模型
- 基于GaAs PIN二极管的物理工作机理，阐述了一种新型等效电路模型和相应的模型参数提取方法。该等效电路模型创造性地将GaAs PIN二极管分成了三部分，即P+N-结，本征区和N-N+结，并运用物理分析，对各部分进行建模...
- 吴茹菲
- 关键词：GAASPIN二极管等效电路模型
- 左手材料非线性传输线谐波产生器电路
- 本发明公开了一种左手材料非线性传输线谐波产生器电路，该电路利用负载了变容二极管的传输线单元实现电容随电压变化的非线性，产生几倍于输入信号频率的高次谐波，由若干相同的传输线单元周期串联排列构成。该谐波产生器电路由于利用了介...
- 吴茹菲张海英尹军舰
- 文献传递
- 重载铁路轨道安全检测的无线传感网络结构
- 本发明公开了一种重载铁路轨道安全检测的无线传感网络结构，其特征在于，该结构包括传感器节点、汇集节点和基站节点，且传感器节点、汇集节点和基站节点构成以基站节点为根、以汇集节点为簇的树状网络，每个基站节点连接有多个汇集节点，...
- 吴茹菲张海英洪何清
- 文献传递
- 8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关(英文)被引量：3
- 2008年
- 基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
- 吴茹菲尹军舰刘会东张海英
- 关键词：单刀双掷GAASPIN二极管
- 一种微透镜阵列的制备方法
- 本发明涉及一种微透镜阵列的制备方法，具体涉及一种利用喷射点胶技术的微透镜阵列的制备方法。所述制备方法具体包括如下步骤：将衬底材料放置于喷射点胶设备工作台上；向所述喷射点胶设备中注入UV胶水，所述喷射点胶设备在衬底材料表面...
- 刘键夏洋吴茹菲李勇滔
- 文献传递
- 全自动荧光粉涂覆工艺及设备研究
- 2013年
- 自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,研究了有无真空搅拌除泡装置对荧光粉涂覆效果的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层厚度均匀性较差,且涂覆层中有明显的气泡,气泡直径可达1mm;经过真空搅拌除泡处理后涂覆层厚度均匀性好且涂覆层中无气泡。利用LED光学参数综合测试仪分析了有无真空搅拌除泡装置对LED发光特性的影响,结果发现真空搅拌除泡工艺能明显提升LED光谱色度一致性。
- 刘杰刘键冷兴龙屈芙蓉刘俊标吴茹菲
- 关键词：LED
- 基于左右手复合非线性传输线的倍频器
- 本发明公开了一种倍频器，该倍频器由至少一个左右手复合非线性传输线单元构成，该左右手复合非线性传输线单元由单节左手非线性传输线和单节右手非线性传输线串联而成。利用本发明，可以结合左手非线性传输线和右手非线性传输线的优点，提...
- 杨浩吴茹菲董军荣黄杰张海英
- 增强型线性梯度掺杂的GaAs平面耿氏二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，包括：用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N<Sup>+</Sup>层；在下底面N<Sup>+</Sup>...
- 黄杰杨浩董军荣吴茹菲张海英
- 文献传递
- 有机电子器件的封装方法
- 公开了一种有机电子器件的封装方法，包括：制作电子器件前，在衬底材料背面淀积多层复合薄膜；电子器件制作完成后，在有机电子器件表面沉积多层复合薄膜。本发明提供的一种有机电子器件的封装方法，采用芯片级封装方法，将封装过程集成到...
- 吴茹菲刘键
- 文献传递
- 一种制备用于离子注入的对准标记的方法
- 本发明公开了一种制备用于离子注入的对准标记的方法，该方法包括：在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入的对准标记。所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。所述刻蚀采用的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。...
- 吴茹菲尹军舰张海英
- 文献传递
