孙建
- 作品数：253 被引量：506H指数：13
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 闸控河流冲击负荷对近岸海域的影响分析
- 闸控季节性河流在大洪水来临时开闸放水，囤积的污水一次性排放使河口在很短的时间内接受大量负荷，对河口及近岸海域生态造成较严重的损害。本文以漳卫新河为例，结合GEF基线调查资料，设置了20个情景方案对不同蓄水量、污水浓度以及...
- 孙建聂红涛陶建华富国
- 关键词：排放方式近岸海域污水浓度
- 文献传递
- IWO缓冲层对磁控溅射生长绒面HGZO薄膜性能的影响
- 2012年
- 研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。
- 王斐陈新亮张翅黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：磁控溅射薄膜太阳能电池
- 高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究
- 微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提...
- 耿新华侯国付张晓丹韩晓艳郭群超高艳涛薛俊明魏长春孙建陈新亮张德坤赵颖
- 文献传递
- 非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC:H接触特性改善的研究被引量：1
- 2013年
- 采用重掺杂的p型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌(ZnO:B)和窗口层p型非晶硅碳(p-a-SiC)之间的非欧姆接触特性.通过优化插入层p型微晶硅的沉积参数(氢稀释比H2/SiH4、硼掺杂比B2H6/SiH4)获得了较薄厚度下(20nm)暗电导率高达4.2S/cm的p型微晶硅材料.在本征层厚度约为150nm,仅采用Al背反射电极的情况下,获得了效率6.37%的非晶硅顶电池(Voc=911mV,FF=71.7%,Jsc=9.73mA/cm2),开路电压Voc和填充因子FF均较无插入层的电池有大幅提升.
- 王利张晓丹杨旭魏长春张德坤王广才孙建赵颖
- 关键词：氧化锌
- 非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC:H 接触特性改善的研究
- 引入重掺杂的p 型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌(ZnO:B)和窗口层p 型非晶硅碳之间的非欧姆接触特性. 详细研究了插入层p 型微晶硅的厚度,沉积参数变化(H2/SiH4、B2H6/SiH4)对非晶硅顶电池性能的影响. ...
- 王利张晓丹杨旭熊绍珍魏长春张德坤王广才孙建赵颖
- 关键词：P-TYPEMICROCRYSTALLINESILICONAMORPHOUSSILICONTOP
- MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究被引量：23
- 2005年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
- 徐步衡薛俊明赵颖张晓丹魏长春孙建刘芳芳何青侯国付任慧志张德坤耿新华
- 关键词：薄膜太阳电池MOCVD金属有机物化学气相沉积二乙基锌衬底温度MOL
- 掺杂B(CH)_3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究被引量：3
- 2007年
- 研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B（CH3）3（TMB）的P型氢化非晶硅碳（a-SiC：H）窗口材料性能的影响，获得了电导率达到8．97×10^-7／cm、光学带隙大于2．0eV的P型a-SiC：H窗口材料。研究了单结电池P型a-SiC：H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系。结果表明，随着衬底温度的提高，需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙B和电池的短路电流密度Jsc；沉积系统中，P型窗口层的温度比本征吸收层高25-50℃时，电池性能较好。研究了3种类型的P／I缓冲层对单结电池性能的影响。大量实验表明，不掺B的C缓冲层适合于低温和小CH4流量情况使用；掺B的C缓冲层＋不掺B的C缓冲层适合于高温和大CH4流量情况使用；采用不掺B的C缓冲层的电池光稳定性高于采用B、C渐变缓冲层的电池。研究还表明，采用新型TMB作为P型窗口层掺杂剂的电池比传统采用B2H6作为P型窗口层掺杂剂的电池转换效率提高约1.0％。
- 薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华
- 关键词：光学带隙
- p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响被引量：5
- 2006年
- 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春谷士彬张存善
- 关键词：ZNO衬底温度
- 绒面ZnO透明导电薄膜被引量：4
- 2004年
- 采用孪生ZnO (Al2 O3 ∶2 % )对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜 (迁移率为 5 .5 6cm2 /V·s,载流子浓度为 4 .5 7× 10 2 0 cm-3 ,电阻率为 2 .4 6× 10 -3 Ω·cm ,可见光范围 (380～ 80 0nm)平均透过率大于 85 % )。用酸腐蚀的方法 ,可以获得绒面效果 ,而反应气压对绒面效果没有影响 ,薄膜的电学特性没有变化 ,绒面对光散射作用增强 ,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些 (可见光范围平均透过率大于 80 % )。
- 朱锋薛玉明孙建赵颖耿新华
- 关键词：ZNO透明导电薄膜绒面直流磁控溅射电阻率
- VHF—PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池被引量：6
- 2007年
- 以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究。结果表明薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料。将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc=0.335V,短路电流密度Jsc=20.16mA/cm2,填充因子FF=41.938%。
- 谷士斌胡增鑫张建军孙建杨瑞霞
- 关键词：喇曼光谱
