张保平
- 作品数：114 被引量：79H指数：5
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系被引量：3
- 2010年
- 通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱,研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014cm-2,在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm,PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加,但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB,ZnO体材料激子玻尔半径,约为2 nm)时,红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。
- 李小龙姜小芳雷小燕丘志仁张保平丁才蓉曾学然
- 关键词：光致发光单量子阱
- 一种悬浮LED器件及其制造方法
- 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法，包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极；半导体外延层阵列包括多个半导体外延层，衬底上设有凸起的支撑柱阵列，支撑柱阵列包括多个支撑柱；支撑柱及衬底都由导电材料制成；半导体外延层的...
- 梅洋谢敏超应磊莹张保平
- 文献传递
- 一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法
- 一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p－GaN)。提供一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H<Sub>2</Sub>气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处...
- 刘宝林张保平尹以安
- 文献传递
- 自分裂GaN基外延薄膜转移方法
- 自分裂GaN基外延薄膜转移方法，涉及氮化镓基半导体器件。选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和GaN基薄膜外延层；在GaN基薄膜上形成图形化金属层；将样品键合到支撑基板上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，...
- 张保平陈明蔡丽娥张江勇应磊莹
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- 氮化物垂直腔面发射激光器
- 通过攻克蓝宝石衬底剥离,优化增益区设计等关键技术,在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射,光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定...
- 张保平张江勇蔡丽娥胡晓龙余金中王启明
- 文献传递
- 高散热正装结构薄膜LED研究
- 作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,大功率LED近年来得到快速发展,但仍然存在散热不畅的瓶颈.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在...
- 张江勇应磊莹陈明刘文杰张保平
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n...
- 张保平胡晓龙刘文杰张江勇应磊莹
- 文献传递
- ZnO薄膜和量子阱的生长及光学特性(英文)
- 2006年
- 研究了用MOCVD法在蓝宝石(Al2O3)(0001)和(1120)衬底上制备ZnO薄膜时的生长特性.详细研究了采用Al2O3(0001)衬底时生长温度与压力的影响.由于存在比较大的晶格失配,一般容易得到ZnO纳米结晶,不容易获得既平坦且质量又好的ZnO薄膜.生长温度对薄膜衬底界面的生长模式有很大的影响;而生长压力对ZnO纳米结晶的形状有决定性作用.通过适当控制生长温度及压力,可以得到ZnO薄膜或不同形状的纳米结构.当采用Al2O3(1120)衬底时,由于晶格失配较小,能保持平坦层状生长,临界膜厚远远大于采用Al2O3(0001)衬底的结果.在Al2O3(1120)衬底上制作了ZnO/MgZnO量子阱并研究了其光学特性.观察到了量子化能级间以及在载流子间的跃迁引起的发光.由压电效应引起的内建电场约为3×105V/cm.同时发现采用低温低压生长可以增大ZnO中受主杂质浓度,有利于获得p型ZnO.
- 张保平康俊勇余金中王启明濑川勇三郎
- 关键词：氧化锌MOCVD生长温度掺杂
- 一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器
- 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜...
- 张保平徐欢李青璇许荣彬应磊莹郑志威
- 一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管
- 本发明公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由...
- 张保平欧伟梅洋龙浩应磊莹
