张兆生
- 作品数：4 被引量：36H指数：2
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 电子封装用陶瓷基片材料的研究进展被引量：32
- 2008年
- 简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AlN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料。介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点。
- 张兆生卢振亚陈志武
- 关键词：电子封装陶瓷基片流延
- Er2O3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响
- 研究了Er2O3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响。实验发现，在ZnO压敏电阻中加入Er2O3不仅可以提高压敏电压Y1mA，同时还可改善非线性系数和漏电流特性。但过量的Er2O3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣...
- 李宇翔卢振亚张兆生
- 关键词：氧化锌压敏电阻掺杂改性微观结构电性能
- TiO<,2>压敏-电容双功能陶瓷制备及掺杂研究
- TiO2压敏陶瓷具有较好的非线性V-I特性，压敏电压V1mA较低，且介电常数大等优点，可以作为压敏-电容双功能元件，用于电路保护和消除噪声干扰。随着电子系统小型化、低压化、多功能化，TiO2压敏电阻的开发和性能的改进成为...
- 张兆生
- 关键词：压敏电压陶瓷制备压敏陶瓷施主掺杂压敏性能半导化
- 文献传递
- TiO_2和MgO掺杂的ZnO导电陶瓷材料被引量：4
- 2009年
- 以ZnO为基添加Al2O3、TiO2和MgO制备了导电陶瓷;研究了TiO2、MgO掺杂含量对ZnO陶瓷相对密度、电阻率和电阻温度系数的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在小电流和脉冲大电流下的伏安特性。结果表明,掺Ti有利于致密烧结,TiO2含量为0.6%(质量分数)时,样品相对密度为96%,室温小电流下测试其电阻率为8.14Ω.cm;添加适量MgO能降低电阻率且可改善电阻温度系数,MgO含量为0.4%(质量分数)时,小电流电阻率为5.67Ω.cm;室温小电流下样品伏安特性接近线性,在脉冲大电流下呈现一定非线性特性。
- 张兆生卢振亚
- 关键词：电阻率
