张兴旺
- 作品数：20 被引量：38H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程医药卫生更多>>
- 立方氮化硼和金刚石薄膜、异质结的制备与特性研究
- 陈光华邓金祥宋雪梅张阳张生俊张兴旺
- 文内报告了金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备过程，然后采用自制的 测试装置对其伏-安特性进行了测试。
- 关键词：
- 关键词：立方氮化硼薄膜金刚石薄膜异质结
- β-C_3N_4超硬材料的汽相合成
- 1998年
- 分别采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积的制备方法，制备出含有β-C3N4晶相的CNx薄膜．本文将重点报道CNx薄膜的结构与形貌特点，并进一步阐述制备参数与CNx薄膜中β-C3N4结晶成分的关系．
- 陈光华严辉王波宋雪梅张兴旺路永刚
- 关键词：反应溅射氮化碳超硬材料
- 氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质被引量：4
- 2001年
- 用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1
- 邹云娟张兴旺宋雪梅严辉陈光华
- 关键词：吸收光谱光学带隙光学性质
- 等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应被引量：1
- 1997年
- 立方氮化硼（ｃＢＮ）是一种新型的人工合成功能材料，它除了具有一系列与金刚石类似的优异的物理化学性质，如高的硬度、宽的带隙、高的电阻率和高的热导率外，还具有一些独特的优于金刚石的性质。这些性质使得ｃＢＮ在力学、光学和电子学等方面具有广泛的应用前景，这就需要在多种不同衬底材料上生长ｃＢＮ薄膜，并且衬底材料对ｃＢＮ薄膜的成核和生长有非常重要的影响。本文报道用射频等离子体增强热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）方法，在多种衬底上生长的ｃＢＮ薄膜的质量，包括生长的立方相比例，取向生长，表面形貌及粘附状况等，并着重讨论不同衬底对ｃＢＮ薄膜生长的影响。所用设备是等离子体增强热丝ＣＶＤ系统［２］；反应气体为ＮＨ３＋Ｂ２Ｈ６，并用高纯Ｈ２稀释到１％；衬底材料包括：Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、不锈钢和人工合成金刚石薄膜。热丝温度和衬底温度分别为２１００℃和１０００℃，反应气体压力为１４０Ｐａ，射频功率为１８０Ｗ，沉积时间约４ｈ。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和傅立叶转换红外谱（ＦＴＩＲ）在表征ｃＢＮ薄膜的结构和成分上，是两种重要而互为补充的手段。在相同的实验条件下，比较Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、不锈钢衬底上生长ｃＢＮ薄膜的ＸＲＤ，以及Ｓｉ、不锈?
- 陈光华张兴旺岳金顺严辉
- 关键词：氮化硼薄膜CVD法衬底半导体薄膜
- GaAs(100)衬底上C_60单晶膜的取向生长被引量：4
- 1997年
- 利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在ＧａＡｓ（１００）衬底上实现了完全（１１１）取向的Ｃ６０单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对Ｃ６０单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现Ｃ６０取向生长的衬底温度范围很窄，温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序．对实验结果做出了合理的解释。
- 姚江宏邹云娟张兴旺陈光华
- 关键词：砷化镓碳60单晶生长
- B-C-N系超硬材料的研究进展被引量：12
- 2000年
- 超硬材料的合成是目前材料科学研究领域的热门课题之一。近年来，由于碳基和硼基超硬材料的理论设计和发现，引起了人们在实验和理论上对硬度与金刚石接近，甚至超过金刚石的材料研究兴趣。在Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬材料中，除了金刚石和立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）以外，β－Ｃ_３Ｎ_４、立方氮碳化硼以及富勒烯等材料，也正日益受到国际材料界的重视。本文就Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬料的最新研究进展做一综述。
- 张兴旺邹云娟严辉陈光华
- 关键词：超硬材料
- 富勒烯-聚甲基丙烯酸甲脂复合膜的结构研究
- i（100）的衬底上，制备出C<,60>-聚甲基丙烯酸四脂（PMMA）比例不同的复合膜。通过X射线衍射谱的测量，结果发现在PMMA中的C<,60>分子趋向子相互聚集并形成非晶或晶化的C<,6...
- 严辉邹云娟宋雪梅张兴旺王波陈光华马国斌
- 关键词：富勒烯
- 一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法
- 本发明涉及二维层状材料研究领域，具体涉及一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法器。包括：使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗单晶衬底；将清洗的单晶衬底浸入氢氟酸溶液中处理；将高纯Ni靶安置在直流磁控溅射仪的靶位上...
- 兰伟马凌霄董晨浩张兴旺
- 文献传递
- 非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性被引量：2
- 1998年
- 在双靶射频溅射系统中，以氢气为工作气体，交替溅射高纯Ge和SiO2，制备出了非晶态Ge／SiO2超晶格．小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性．其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定．当锗势阱层厚度从0．38nm减小到0.12nm时，超晶格光学带欧发生约0．3eV的游移．
- 张兴旺陈光华
- 关键词：超晶格射频溅射非晶锗
- C<,60>-PMMA复合膜的光荧光特性
- 了C<,60>含量在1℅～10℅的C<,60>-PMMA复合膜，光荧光（PL）谱的测量结果显示，从1. 661ev到2．405eV，所有含量的C<,60>-PMMA复合膜都呈现出较强的...
- 严辉宋雪梅邹云娟张兴旺王波陈光华马国斌
- 关键词：光荧光
