您的位置： 专家智库 > >

张卓磊

作品数：11 被引量：2H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇纳米
  • 7篇量子
  • 7篇量子点
  • 5篇量子点材料
  • 4篇纳米材料
  • 4篇纳米晶
  • 4篇白光
  • 4篇半导体纳米材...
  • 4篇掺杂
  • 3篇荧光
  • 2篇单分散
  • 2篇单分散性
  • 2篇低毒性
  • 2篇毒性
  • 2篇乙酰
  • 2篇乙酰胺
  • 2篇中间温度
  • 2篇色度坐标
  • 2篇能级
  • 2篇硫代乙酰胺

机构

  • 11篇吉林大学
  • 1篇吉林大学口腔...

作者

  • 11篇张卓磊
  • 9篇解仁国
  • 7篇杨文胜
  • 5篇张颖
  • 5篇李冬泽
  • 2篇周淼
  • 2篇魏爽
  • 1篇刘志辉

传媒

  • 2篇中国化学会第...
  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种白光量子点材料及制备方法
本发明的一种白光量子点材料及制备方法属于半导体照明技术领域。以Cu掺杂的InP量子点为核，在核的基础上包覆ZnSe+ZnS隔离层，以隔绝内外电子空穴波函数的扩散，然后再包覆InP量子壁层和ZnSe+ZnS宽带隙钝化保护层...
解仁国张卓磊张颖杨文胜
文献传递
一种二维MoS2纳米片的制备方法
本发明的一种二维MoS<Sub>2</Sub>纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS<Sub>2<...
解仁国周淼张卓磊张颖杨文胜
文献传递
高质量尺寸可调CuFeS_2纳米晶的合成与光电性质被引量：2
2014年
制备了单分散性良好且尺寸可调的具有荧光性质的CuFeS2纳米晶,利用紫外-可见吸收光谱(UVVis)、荧光光谱、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、元素分析和光电流测试等技术对其组分和结构进行了表征,分析了CuFeS2纳米晶尺寸变化对吸收光谱和光电响应行为的影响规律.随着CuFeS2纳米晶尺寸增大,其吸收峰位表现出符合量子尺寸效应的相应红移;具有荧光性质的CuFeS2纳米晶可控制备预示其在生物医学成像和光电器件等领域具有应用前景.
张卓磊李冬泽刘志辉解仁国
关键词：纳米晶荧光光电流
一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法
本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最...
解仁国魏爽张卓磊李冬泽杨文胜
文献传递
一种决定量子点能级的新方法
we developed a dopant approach to determine HOMO and LUMO levels of the semiconductor NCs based on electronic ...
张卓磊李冬泽解仁国杨文胜
关键词：掺杂能级纳米晶荧光
文献传递
大量合成用于制备高质量可见到近红外可调的荧光砷、磷纳米晶的空气稳定的前体
在本文中,我们提出了一种新方法用于合成高质量的尺寸可调的Cd3As2纳米晶,该方法主要是大量制备对空气稳定的反应前体即'Magic-Sized Clusters'。而该方法控制纳米晶尺寸的最关键因素是反应前体注入反应的温...
李冬泽彭路成张卓磊解仁国杨文胜
文献传递
Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法
本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最...
解仁国张卓磊张颖杨文胜
文献传递
基于能带工程的双光量子点的制备及其在白光LED中的应用
无机半导体纳米晶具有尺寸依赖的光电学性质，高的荧光量子效率和光、化学稳定性使其在光电转换、发光显示等领域具有越来越大的应用潜力，成为了近年来基础研究和应用开发的热点。然而在半导体纳米晶的实际深入应用过程中，特别是在新型光...
张卓磊
关键词：纳米晶能级掺杂白光二极管
文献传递
一种二维MoS<Sub>2</Sub>纳米片的制备方法
本发明的一种二维MoS<Sub>2</Sub>纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS<Sub>2<...
解仁国周淼张卓磊张颖杨文胜
文献传递
一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法
本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最...
解仁国魏爽张卓磊李冬泽杨文胜
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0