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张岭

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：上海第二工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇光学
  • 2篇光学特性
  • 2篇半导体
  • 1篇导体
  • 1篇物理特性
  • 1篇半导体薄膜

机构

  • 2篇上海第二工业...
  • 1篇上海理工大学

作者

  • 2篇张岭
  • 2篇袁一方
  • 1篇夏翔
  • 1篇陈林
  • 1篇杨永才
  • 1篇邱绍峰
  • 1篇韩莹
  • 1篇张岭
  • 1篇陈林

传媒

  • 1篇上海第二工业...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮化铝光波导的特性研究被引量：3
1998年
氮化铝（ＡＩＮ）是一种重要的近紫外、蓝光半导体材料。它具有优良的物理特性。本文介绍了用ＭＯＣＶＤ制作的氮化铝波导的物理特性，尤其对氮化铝光波导薄膜的光学特性进行了深入的研究，用波导测试的方法获得了其折射率的精确实验数据。
陈林袁一方张岭
关键词：氮化铝半导体物理特性光学特性
氮化铝半导体薄膜的光学特性研究
陈林袁一方杨永才夏翔邱绍峰韩莹张岭
简要技术说明：氮化铝和氮化镓、氮化铟等都属于宽禁带的Ⅲ-Ⅴ族化合半导体。AlN为直接带隙，禁带宽度（Eg）为6.2eV，是目前Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体中禁带宽度最大的材料，具有六角纤锌矿晶体结构。近年来的研究表明，以上这些材...
关键词：
关键词：氮化铝光学特性半导体薄膜
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