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张广胜

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇电阻
  • 2篇低频电压
  • 2篇电平
  • 2篇电平位移
  • 2篇电压
  • 2篇增益
  • 2篇增益放大
  • 2篇增益放大器
  • 2篇振荡器
  • 2篇可变增益
  • 2篇可变增益放大...
  • 2篇回路电阻
  • 2篇放大器
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇比导通电阻
  • 1篇BCD工艺

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇张广胜
  • 2篇王泽华
  • 2篇方健
  • 2篇管超
  • 2篇唐莉芳
  • 2篇杨毓俊
  • 2篇黎俐
  • 2篇吴琼乐
  • 2篇陈吕赟
  • 2篇潘福跃
  • 2篇向莉
  • 2篇柏文斌
  • 2篇陶垠波

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的，具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器...
方健吴琼乐王泽华陈吕赟向莉柏文斌管超杨毓俊黎俐唐莉芳潘福跃陶垠波张广胜
文献传递
基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究
随着单片集成技术的发展,高压BCD工艺集成技术也得到了相应的提高.此设计中在保证击穿电压与SR(single RESURF)结构相近的条件下,在高压N阱内增加了P-top层,从而得到了DR NLDMOS的器件结构.本文运...
张广胜何乃龙方健张森
关键词：击穿电压比导通电阻
文献传递
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的，具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器...
方健吴琼乐王泽华陈吕赟向莉柏文斌管超杨毓俊黎俐唐莉芳潘福跃陶垠波张广胜
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