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张广胜
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3
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陶垠波
电子科技大学
柏文斌
电子科技大学
向莉
电子科技大学
潘福跃
电子科技大学
陈吕赟
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张广胜
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王泽华
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方健
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四川省电子学...
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2012
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一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的,具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器...
方健
吴琼乐
王泽华
陈吕赟
向莉
柏文斌
管超
杨毓俊
黎俐
唐莉芳
潘福跃
陶垠波
张广胜
文献传递
基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究
随着单片集成技术的发展,高压BCD工艺集成技术也得到了相应的提高.此设计中在保证击穿电压与SR(single RESURF)结构相近的条件下,在高压N阱内增加了P-top层,从而得到了DR NLDMOS的器件结构.本文运...
张广胜
何乃龙
方健
张森
关键词:
击穿电压
比导通电阻
文献传递
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的,具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器...
方健
吴琼乐
王泽华
陈吕赟
向莉
柏文斌
管超
杨毓俊
黎俐
唐莉芳
潘福跃
陶垠波
张广胜
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