张金灿
- 作品数：27 被引量：5H指数：1
- 供职机构：河南科技大学更多>>
- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目国家自然科学基金河南省科技厅国际合作项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于90nm工艺节点的MOSFET版图失配研究
- 2015年
- 研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,并将其作为研究对象进行了分析。通过分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压VTH和DAC输出电压Vout的实测数据,对CMOS模拟集成电路的最优版图设计方案进行了探讨。最后,利用本研究结果设计了一款90 nm工艺的低功耗CMOS运算放大器,相比传统版图结构,该放大器的工艺波动抑制能力提高了5.87%。
- 张雷鸣刘博张金灿
- 关键词：电流舵工艺波动阈值电压版图
- 基于低功耗约束的CMOSLNA的优化设计
- 2009年
- 针对低功耗电路发展的趋势,在传统的共源共栅结构基础上,同时引入实现噪声优化的PCSNIM技术和提高增益的级间匹配技术,通过合理调节晶体管的尺寸实现了低功耗的指标。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,输入输出匹配良好,增益为14.274 dB,噪声系数为0.669 dB,1 dB压缩点为-16.1 dBm,IIP3为-4.858 dBm,直流功耗仅2.628 mW。
- 刘高辉张金灿
- 关键词：低噪声放大器低功耗噪声分析阻抗匹配
- 基于天牛须算法的GaNHEMT器件寄生参数的提取方法
- 基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，所述方法包括包括如下步骤：S1、在低频夹断偏置条件下测量能够表征寄生电容参数值范围的S参数，并且将S参数转化为Y参数；S2、设置天牛须算法，并且利用天牛须算法对Y参...
- 张金灿汪绍伟候雪锋张盼盼樊云航徐彬瑞刘敏王金婵
- 采用反向传播神经网络建模算法设计模拟跨导放大器的方法
- 本发明公开了一种采用反向传播神经网络建模算法设计模拟跨导放大器的方法，包括如下步骤：S1：构建OTA电路，其中MOS管器件M1、M2和M3、M4是成对的差分结构，M1、M2和M3、M4设计参数相同；S2：构建BP神经网络...
- 刘博张伟哲王琳朱桂林张金灿孟庆端
- 基于可控目标靶的红外系统作用距离测试评估方法
- 基于可控目标靶的红外系统作用距离测试评估方法，首先选择可控目标靶作为测试目标，其次根据测试场地实际地形条件，确定测试作用距离，之后根据确定的测试作用距离、指标规定的作用距离和指标规定的目标大小确定测试目标靶的辐射面积大小...
- 张立文李娜张金灿刘敏赵显红曹磊李阳
- 文献传递
- 基于可控目标靶的红外系统作用距离测试评估方法
- 基于可控目标靶的红外系统作用距离测试评估方法，首先选择可控目标靶作为测试目标，其次根据测试场地实际地形条件，确定测试作用距离，之后根据确定的测试作用距离、指标规定的作用距离和指标规定的目标大小确定测试目标靶的辐射面积大小...
- 张立文李娜张金灿刘敏赵显红曹磊李阳
- 文献传递
- 低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计被引量：4
- 2010年
- 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗约束下的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源间并联一个电容,以优化噪声;并引入一个电感,与级间寄生电容谐振,以提高增益;通过减小晶体管的尺寸,实现了低功耗。模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,增益大于14 dB,噪声系数小于1 dB,直流功耗小于2 mW。
- 刘高辉张金灿
- 关键词：低噪声放大器CMOS模拟集成电路
- 采用反向传播神经网络建模算法设计模拟跨导放大器的方法
- 本发明公开了一种采用反向传播神经网络建模算法设计模拟跨导放大器的方法，包括如下步骤：S1：构建OTA电路，其中MOS管器件M1、M2和M3、M4是成对的差分结构，M1、M2和M3、M4设计参数相同；S2：构建BP神经网络...
- 刘博张伟哲王琳朱桂林张金灿孟庆端
- 一种改进的HBT小信号等效电路模型建立方法
- 一种改进的HBT小信号等效电路模型建立方法，包括：1、提取极间金属引线交叠电容参数；2、提取本征参数：（1）从完整的HBT散射参数中剥离掉焊盘寄生参数和器件电阻参数，对得到的阻抗参数<i>Z</i>...
- 张金灿刘博孙立功张雷鸣尹育聪
- 文献传递
- 辅助锁相环加速充电的开关控制逻辑电路及锁相环电路
- 本发明涉及辅助锁相环加速充电的开关控制逻辑电路及锁相环电路，属于半导体集成电路设计领域，所述锁相环电路包含鉴频鉴相器（PFD）、电荷泵（CP）、环路滤波器（LPF）、压控振荡器（VCO）、分频器（DIV）和开关控制逻辑电...
- 刘博邓智耀孙立功张金灿刘敏张羽
