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彭本贤

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳先进技术研究院更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 4篇浮栅
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 2篇低频振动
  • 2篇电流
  • 2篇电路
  • 2篇压力传感器
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇栅极
  • 2篇振动
  • 2篇振动膜
  • 2篇散热
  • 2篇散热通道
  • 2篇浅结
  • 2篇组件
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇牺牲层
  • 2篇下级

机构

  • 8篇深圳先进技术...

作者

  • 8篇彭本贤
  • 8篇于峰崎
  • 6篇俞挺

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
低频振动测量装置
本发明涉及一种低频振动测量装置，包括振动传感器和CMOS芯片，所述振动传感器集成在所述CMOS芯片上，所述振动传感器是包含敏感单元的微电子机械系统(MEMS)，其中敏感单元包括含有空气栅介质和浮栅的场效应管，与浮栅相对设...
彭本贤俞挺于峰崎
文献传递
一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明公开了一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用温度为200～250℃的氖离子二次不同能量大束流低温注入，先形成两层气泡带，进行退火处理后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离(STI)上的...
彭本贤俞挺于峰崎
文献传递
一种绝对压力传感器芯片及其制作方法
本发明涉及一种绝对压力传感器芯片，包括绝对压力传感器集成在所述CMOS芯片上；所述绝对压力传感器包含压力敏感单元，所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管，和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜，所述浮...
俞挺彭本贤于峰崎
文献传递
一种换能器及其制备方法和应用
本发明提供了一种换能器及其制备方法和应用，所述换能器包括：第一组件、第二组件以及用于连接第一组件和第二组件的第三组件；所述第一组件包括上级板层和第一引线层；所述第二组件包括下级板层和第二引线层；所述第三组件包括绝缘层以及...
刘嘉俊彭本贤于峰崎
一种绝对压力传感器芯片及其制作方法
本发明涉及一种绝对压力传感器芯片，包括绝对压力传感器集成在所述CMOS芯片上；所述绝对压力传感器包含压力敏感单元，所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管，和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜，所述浮...
俞挺彭本贤于峰崎
文献传递
一种换能器及其制备方法和应用
本发明提供了一种换能器及其制备方法和应用，所述换能器包括：第一组件、第二组件以及用于连接第一组件和第二组件的第三组件；所述第一组件包括上级板层和第一引线层；所述第二组件包括下级板层和第二引线层；所述第三组件包括绝缘层以及...
刘嘉俊彭本贤于峰崎
文献传递
一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明公开了一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离(STI)上的氮化硅侧墙，用常规CMOS工艺制作MOSFET...
彭本贤俞挺于峰崎
文献传递
低频振动测量装置
本发明涉及一种低频振动测量装置，包括振动传感器和CMOS芯片，所述振动传感器集成在所述CMOS芯片上，所述振动传感器是包含敏感单元的微电子机械系统(MEMS)，其中敏感单元包括含有空气栅介质和浮栅的场效应管，与浮栅相对设...
彭本贤俞挺于峰崎
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