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徐所成

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇衍射
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇气相外延
  • 2篇厚层
  • 2篇X射线双晶衍...
  • 1篇载气
  • 1篇氢化
  • 1篇氢化物
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇化物
  • 1篇V

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇史月增
  • 2篇杨丹丹
  • 2篇徐永宽
  • 2篇张嵩
  • 2篇李晖
  • 2篇徐所成
  • 2篇程红娟
  • 1篇刘金鑫
  • 1篇徐胜
  • 1篇郝建民
  • 1篇岳洋
  • 1篇张峰

传媒

  • 1篇天津科技
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
2012年
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。
杨丹丹徐永宽程红娟张嵩李晖徐所成史月增刘金鑫岳洋张峰郝建民
关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
2012年
采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。
杨丹丹徐永宽张嵩程红娟李晖徐所成史月增徐胜
关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射载气
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