徐洋
- 作品数：11 被引量：29H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法
- 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)...
- 杨林安王晓燕徐洋严霏郝跃
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- 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法
- 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)...
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- 基于改进CORDIC算法的直接数字频率合成器
- 本发明公开了一种基于改进CORDIC算法的直接数字频率合成器，包括：相位累加器和相位幅度转换器，其中，相位累加器位宽是32位，输出截断之后是19位；相位幅度转换器由查找表ROM、乘法器、超四旋转模块和区块选择模块组成，查...
- 丁瑞雪徐洋刘马良
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- 基于改进CORDIC算法的直接数字频率合成器
- 本发明公开了一种基于改进CORDIC算法的直接数字频率合成器，包括：相位累加器和相位幅度转换器，其中，相位累加器位宽是32位，输出截断之后是19位；相位幅度转换器由查找表ROM、乘法器、超四旋转模块和区块选择模块组成，查...
- 丁瑞雪徐洋刘马良
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- 基于PWM模式控制的Buck型DC_DC芯片的设计
- 本论文的设计工作来源于西安电子科技大学CAD所科研项目“单芯片数模混合电路设计技术研究”，主要研究Buck型DC_DC转换器的设计与实现。论文从电特性指标要求出发，通过系统设计、电路设计和性能仿真验证，完成了一款高效率、...
- 徐洋
- 关键词：PWM模式电路设计芯片性能
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- 基于改进CORDIC算法的直接数字频率合成器研究
- 直接数字频率合成器简称为 DDS，这是一种最近一些年才发展起来的新型的频率合成技术。这种技术依托于快速发展的集成电路技术，现代集成电路技术根据摩尔定律的预测在不断的进步，直接数字频率合成器在这个环境之下也受到越来越多的重...
- 徐洋
- 关键词：直接数字频率合成器查找表低通滤波器
- 文献传递
- 基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计被引量：6
- 2009年
- 采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.2mm2。在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1V的电源电压下正常工作;在-20℃～120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78dB。在典型的1.5V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165～1.25V。
- 代国定王悬虞峰徐洋李卫敏
- 关键词：低电压带隙基准电压
- 高性能分段温度曲率补偿基准电压源设计被引量：11
- 2010年
- 针对带隙基准电压源温漂高、电源抑制比(PSRR)低的问题,提出一种新颖的分段曲率补偿技术.该电路将基准源工作的全温度范围划分为3个区间,对各段温度区间进行不同的温度补偿,同时引入电流环负反馈结构,提高电路在低频时的电源抑制比,实现在-40～150℃内,温度系数为1.24×10-6,在DC时电源抑制比为-137dB.该电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.5mm2,关断电流小于0.1μA,工作静态功耗为125μW.投片测试结果验证了电路设计的正确性,当电源电压为2.5～6.0V时,该基准源输出电压摆幅仅为0.220mV.
- 代国定徐洋李卫敏黄鹏
- 关键词：带隙基准电压温度系数电源抑制比
- 基于氧化锗钝化的Ge沟道MOSFET器件制备技术研究
- 随着硅（Si）基芯片中器件尺寸逐渐逼近其物理极限,尺寸缩小难以继续,各种新材料和新结构逐渐被用于继续提高金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的性能。沟道材料上,采用应变硅技术来提高载流子迁移率的方案很难再...
- 徐洋
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管
- 电流模PWM降压DC_DC片内补偿电路的设计实现被引量：8
- 2010年
- 对单片电流模降压DC_DC的内部电流环与电压环的稳定性进行了分析研究,分别采用分段线性斜坡补偿与内置频率补偿技术,有效消除环路亚谐波振荡并克服了稳定性对输出负载以及误差放大器增益的依赖,提高了芯片的瞬态响应速度及输出带负载能力。采用TSMC0.25μmBCD工艺设计实现了一款高电压电流模PWM降压型的DC_DC芯片,spectre仿真结果表明,输出电流可达2A,其线性调整率和负载调整率均小于0.3%,输出电压对负载1A时的阶跃响应时间小于70μs。
- 代国定徐洋李卫敏胡波
- 关键词：频率补偿环路增益
