戴国瑞
- 作品数：64 被引量：157H指数：7
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 有机高亮度黄光发光二极管被引量：8
- 2000年
- 用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件，在１９Ｖ 下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ ２，外量子效率达３．４％ ．
- 黄劲松谢志元杨开霞李传南侯晶莹刘式墉南金戴国瑞
- 关键词：发光二极管高亮度有机物
- 聚环戊二烯薄膜中C_60的薄板层析分离与检测
- 1997年
- 报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯Ｃ６０的方法，其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备的，以质谱分析的方法观察了不同色层带的有机化合物分子的大小，并得到了质荷比ｍ／ｚ为７２０的Ｃ６０谱峰和其他的有机化合物的分子谱峰。
- 戴国瑞管玉国窦红飞南金
- 关键词：富勒烯碳60
- SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究被引量：3
- 1989年
- 本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2^(2-)和O^-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.
- 戴国瑞姜月顺王雅静董玺娟汤大新李铁津
- 关键词：SNO2红外光谱表面光电压谱
- H_2S敏感薄膜材料的研究被引量：1
- 1999年
- 报导了采用PECVD方法制备SnO_2敏感薄膜材料,并用浸渍法对薄膜修饰了金属氧化物CuO。实验发现该薄膜材料对H_2S气体具有很高的灵敏度和选择性,并且具有较快的响应、恢复速度。
- 吴远大戴国瑞南金
- 关键词：气敏材料表面改性硫化氢
- Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究被引量：3
- 1998年
- 本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．
- 戴国瑞何秀丽王宗昌南金
- 关键词：半导体传感器氨气
- SnO_2/Fe_2O_3多层结构薄膜型气敏元件的研究被引量：3
- 1990年
- 本文报导了采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备 SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜气体敏感材料及敏感元件的性质。所研制的多层薄膜在保持对乙醇有较高的灵敏度及较好的响应恢复时间的同时,其稳定件较单层膜有明显地改善。乙醇和汽油的分离倍数达10左右,对其它气体分离倍数更高。研究表明所制备的 SnO_2/Fe_2O_3薄膜材料可用于开发新型气敏元件。
- 马晓翠阎大卫戴国瑞邹慧珠
- 关键词：气敏元件
- 薄膜的表面修饰对气体敏感特性的影响￣①被引量：2
- 1997年
- 采用ＰＥＣＶＤ方法制备了氧化物簿膜，为了改善气体敏感特性，将几种元素覆盖于薄膜表面进行了表面修饰。
- 戴国瑞管玉国焦伯恒南金孙太玺朱勇韩征许秀来
- 关键词：表面修饰氧化物半导体气敏特性
- GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究
- 1993年
- 本文报导了用XeCl激光器实现向半绝缘GaAs衬底掺Zn的实验结果,给出了Zn原子的纵向分布以及掺杂后方块电阻与激光脉冲次数的关系曲线,同时在相同衬底上采用气体源进行了掺Si实验研究.
- 祝亚琴马力任临福石景龙戴国瑞张玉书
- 关键词：准分子激光器掺杂砷化镓
- 气敏元件测量的一致性温度补偿法被引量：1
- 1996年
- 对取样电压法产生的温度漂移及一致性温度补偿法的优点进行了理论分析和实验比较，表明加热电压在０～６．３Ｖ范围内变化时，元件的温度漂移恒为零，输出电压信号只是被测气体浓度的单值函数。
- 管玉国戴国瑞
- 关键词：气敏元件温度补偿一致性
- 用PECVD技术淀积PbTiO_3薄膜
- 1997年
- 采用ＰＥＣＶＤ技术，以Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）、ＴｉＣｌ４和Ｏ２为反应源，在１７０℃温度下淀积了ＰｂＴｉＯ３功能薄膜，分别对薄膜进行了Ｘ射线荧光光谱、Ｘ光电子能谱。
- 管玉国戴国瑞贾道勇南金
- 关键词：等离子体CVD钛酸铅
