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曹亮亮

作品数:8 被引量:19H指数:3
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术农业科学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇农业科学

主题

  • 6篇脉冲激光
  • 6篇脉冲激光沉积
  • 4篇C轴
  • 4篇C轴取向
  • 3篇脉冲激光沉积...
  • 2篇声表面波
  • 2篇硅基
  • 2篇衬底
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇穴盘
  • 1篇穴盘规格
  • 1篇穴盘苗
  • 1篇穴盘育苗
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇育苗基质
  • 1篇声表面波器件

机构

  • 8篇浙江大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇郑州大学

作者

  • 8篇曹亮亮
  • 6篇叶志镇
  • 5篇赵炳辉
  • 4篇王新昌
  • 2篇张银珠
  • 2篇张阳
  • 2篇朱丽萍
  • 1篇李士玲
  • 1篇诸葛飞
  • 1篇徐伟中

传媒

  • 4篇真空科学与技...
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 5篇2005
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量:4
2005年
在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
关键词:ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量:4
2005年
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
关键词:ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO_3薄膜被引量:1
2005年
在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对LiNbO3薄膜的结晶品质,择优取向性以及表面形貌进行了系统的分析。结果表明生长出了具有优异晶体质量的c轴取向LiNbO3薄膜,表面光滑平整且无裂纹产生,表面粗糙度约4.8nm,有利于硅基光电子器件的制备和利用。
曹亮亮叶志镇王新昌赵炳辉
关键词:LINBO3SI(111)C轴取向脉冲激光沉积
不同基质和穴盘规格对甜瓜穴盘苗生长的影响
穴盘育苗是无土育苗的一种方式。穴盘育苗是指采用不同规格的专用穴盘为育苗容器,以草炭、蛭石、椰子皮、珍珠岩等轻质材料做育苗基质,采用机械化精量播种,一次成苗的现代化育苗体系。甜瓜的情况比较特殊,如根系弱、种子比较昂贵、苗期...
曹亮亮
关键词:甜瓜穴盘育苗育苗基质穴盘规格
文献传递
硅基LiNbO_3薄膜的光波导性能研究
2005年
利用脉冲激光沉积技术在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜。研究了衬底温度对薄膜质量的影响,发现衬底温度在600℃时获得了具有优异结晶质量的高c轴取向LiNbO3薄膜。采用扫描电镜和透射电镜分别对薄膜的表面、截面进行了分析,结果表明,薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,薄膜呈与衬底垂直的柱状结构。棱镜耦合技术制备的LiNbO3薄膜具有优异的光波导性能,光损耗为1.14 dB/cm。
王新昌叶志镇李士玲曹亮亮赵炳辉
关键词:脉冲激光沉积硅衬底
LiNbO_3声表面波特性及其应用被引量:1
2004年
LiNbO_3因其优异的压电性能和声表面波特性被广泛应用于声表面波器件中。着重介绍LiNbO_3的压电性能、声表面性能及其薄膜制备技术,对通过不同制备工艺生长出的LiNbO_3薄膜的质量和声表面波性能进行了比较,并简要介绍了LiNbO_3在声表面波领域应用的新进展。
曹亮亮叶志镇王新昌
关键词:声表面波器件压电性能表面性能
硅基铌酸锂薄膜的PLD生长及其性能研究
本文探索了用脉冲激光沉积(PLD)技术生长LiNbO3薄膜。以光波导和声表面波应用作为前提,硅基高质量c轴取向薄膜为目标,我们分别在Si(111)衬底和采用ZnO作为缓冲层的Si(100)衬底上生长了LiNbO3薄膜,并...
曹亮亮
关键词:硅基C轴取向脉冲激光沉积声表面波铌酸锂
文献传递
脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
2007年
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。
王新昌叶志镇曹亮亮赵炳辉
关键词:C轴取向脉冲激光沉积
共1页<1>
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