朱亮清
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院上海技术物理研究所创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Hg1-xMnxTe单晶的带边变温吸收特性和受主杂质电离能
- 1-xMnxTe 是一种典型的窄禁带Mn 基Ⅱ-Ⅵ 族磁性半导体材料(Semimagnetic Semiconductors),并已应用在红外光电探测器、发光二极管和半导体激光器等应用领域[1-5],此外由于磁性Mn 离...
- 朱亮清邵军林铁褚君浩
- 关键词：磁性半导体
- HgMnTe磁性半导体研究概述被引量：1
- 2011年
- HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此,HgMnTe材料具有许多潜在应用,如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯,并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。
- 朱亮清褚君浩
- 关键词：磁性半导体磁交换作用自旋电子学
- HgMnTe受主磁极化子的光学Aharonov-Bohm效应
- 由于量子规范变换不变性,围绕闭合轨道运动的电子或空穴,其能量会随着磁通量变化而振荡,即Aharonov-Bohm效应[1].在磁性半导体中,sp-d磁交换作用使得局域电子(或空穴)与杂质电荷中心及邻近磁性离子间互相耦合形...
- 朱亮清邵军朱亮陈熙仁祁镇褚君浩
- 非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究被引量：1
- 2012年
- 研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.
- 朱亮清林铁郭少令褚君浩
- 关键词：磁性半导体
- 光致发光光谱分析CdZnTe退火过程与深能级缺陷
- CdZnTe材料因其良好的性质在高响应室温探测器、太阳能电池、以及碲镉汞探测器衬底方面有着广泛的应用和发展前景,因此在探测器制备和材料微观机理研究方面,都引起了国内外高度关注.
- 祁镇陈熙仁盛锋锋朱亮朱亮清邵军
- 阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
- 2022年
- 采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。
- 马楠窦程王嫚朱亮清陈熙仁刘锋邵军
- 关键词：红外光致发光发光效率
