朱蓉辉
- 作品数：13 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种晶片工艺卡具
- 本发明涉及晶片加工工具技术领域，特别是一种晶片工艺卡具。由侧推立柱(1)，四面锥体(2)以及卡具体(3)组成，卡具体(3)同其他工艺部分连接，连接方式根据需要设定。晶片卡具由侧推立柱1，四面锥体底座2，卡具体3组成。侧推...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
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- 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料
- 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
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- 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
- 2008年
- 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：砷化镓LEC微缺陷位错分布
- 多线切割载荷控制方法
- 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
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- 双面抛光机
- 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；...
- 朱蓉辉赵冀惠峰卜俊鹏郑红军
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- 非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究
- 人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视...
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：微缺陷抛光晶片晶体缺陷光散射
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- 可以修整抛光晶片平整度的抛光头
- 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气...
- 朱蓉辉惠峰卜俊峰郑红军赵冀
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- 一种精密抛光晶片用有机物清洗液
- 本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种有机溶剂组成。醚在混合液中所占重量含量为5％到95％，醇所占重量含量为95％到5％。其中醚由下列中选出：甲醚、乙醚、乙二...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
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- 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：5
- 2003年
- 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
- 卜俊鹏郑红军赵冀朱蓉辉尹玉华
- 关键词：GAAS抛光亚表面损伤层砷化镓半导体
- 一种片状材料厚度测量装置
- 本发明涉及测量装置技术领域，特别是一种片状材料厚度测量装置。由两个有曲面测量头的水平测量顶杆和固定立柱、底座构成，其中一个测量顶杆连接千分表测量装置或传感器，或者由千分表等测量装置或传感器自身的顶杆构成。本发明提供了一种...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
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