您的位置: 专家智库 > >

李兴隆

作品数:23 被引量:16H指数:3
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中国原子能科学研究院院长基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 11篇期刊文章

领域

  • 4篇核科学技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇放射性
  • 3篇污染
  • 3篇康普顿
  • 3篇放射性污染
  • 2篇电路
  • 2篇读出电子学
  • 2篇自动测量
  • 2篇自动测量系统
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇微网
  • 2篇系统研制
  • 2篇相机
  • 2篇剂量率
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇GEM
  • 2篇测量电路
  • 2篇测量系统
  • 1篇导航

机构

  • 23篇中国原子能科...
  • 4篇中国科学技术...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 23篇李兴隆
  • 12篇吴建华
  • 11篇刘阳
  • 10篇骆志平
  • 9篇庞洪超
  • 7篇周静
  • 7篇李笑梅
  • 7篇胡守扬
  • 6篇袁国军
  • 5篇张莉
  • 5篇王薇
  • 2篇刘森林
  • 2篇郭庐阵
  • 2篇单超
  • 2篇汪传高
  • 2篇周意
  • 2篇李传龙
  • 1篇李霞
  • 1篇郭金森
  • 1篇邬蒙蒙

传媒

  • 4篇原子能科学技...
  • 2篇中国辐射卫生
  • 2篇电子世界
  • 1篇核技术
  • 1篇航天器环境工...
  • 1篇核科学与技术

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种抗总剂量效应的三线转八线芯片
本实用新型涉及一种抗总剂量效应的三线转八线芯片,包括输入端的3个反相器以及输出端的8个反相器,在所述输入端的3个反相器与输出端的8个反相器之间设置8个三输入与非门;11个反相器的PMOS管和NMOS管的漏极,以及8个三输...
李兴隆张莉刘阳吴建华洪雅楠骆志平
基于APV25读出电子学系统的GEM探测器的位置分辨与X射线成像研究被引量:2
2016年
采用3层GEM膜制作了有效面积为10cm×10cm的GEM探测器,该探测器采用二维条读出方式,条间距为400μm,每个维度有256个读出通道。探测器的读出采用APV25读出电子学系统,根据GEM探测器的需要,设计并改进了电子学系统使用的背板连接器。实验测得GEM探测器空间分辨为76μm。进行了X射线二维成像研究,获得了清晰的二维图像,探测器与电子学运行稳定可靠。
蹇司玉胡守扬周静李兴隆梁浩周意祁辉荣李笑梅
智能拆卸机器人
1.本外观设计产品的名称:智能拆卸机器人。;2.本外观设计产品的用途:用于拆卸螺钉的智能机器人。;3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图1。;5.请求保护的外...
刘阳骆志平庞洪超吴建华郭庐阵李兴隆
CMOS集成电路总剂量效应加固技术研究现状
2024年
在核设施运行、乏燃料后处理、可控核聚变、航天卫星与太空探索、核军工、γ辐照站等存在强辐射的场景下,高能粒子、射线会与器件中的半导体材料相互作用产生辐射效应,对信号的完整性和精度产生较大影响。本文首先介绍了总剂量效应(TID)的作用机制,及其在MOS器件中的主要影响:总剂量效应会导致MOS管阈值电压漂移、跨导下降、载流子迁移率降低和电流额外泄漏等问题。其次,按照时间顺序依次阐述了近代以来总剂量效应在半导体器件特别是是CMOS器件中的具体影响,尤其对浅槽隔离氧化物(Shallow Trench Isolation, STI)受到总剂量效应的影响做了着重描述。最后,分析了在电路级中的总剂量效应,以及目前流行的几种抗辐射加固技术。
梁泽宇庞洪超李兴隆骆志平
关键词:CMOS集成电路总剂量效应
一种基于中值滤波改进的辐射图像降噪算法
本发明涉及一种基于中值滤波改进的辐射图像降噪算法,属于图像处理技术领域,该算法包括以下步骤:S1、设定引起视觉变化的阈值Dif和最大辐射噪点面积阈值Smax,通过对噪声图像中点的像素值和辐射噪点面积进行分析,从而识别出噪...
刘阳桂海峰李兴隆黄晓鹏吴建华袁国军张莉肖思敏
一种用于硅光电倍增管的微型温度补偿电路
本发明涉及一种用于硅光电倍增管的微型温度补偿电路,包括为硅光电倍增管提供偏置电压的升压电路,在所述升压电路上设置由线性热敏电阻和普通电阻构成的分压电路,对升压电路芯片输出的参考电压进行分压,从而产生随温度变化的参考电压,...
李兴隆刘阳肖思敏吴建华骆志平庞洪超刘森林
文献传递
一种基于BOOST升压电路的辐射剂量率量程扩展方法及电路
本发明涉及一种基于BOOST升压电路的辐射剂量率量程扩展方法及电路,由BOOST升压电路芯片将供电电源电压升压稳压后给探测器的SiPM提供偏置电压,探测器的SiPM和CsI(Tl)晶体产生的脉冲信号通过第一电容交流耦合至...
肖思敏李兴隆刘阳吴建华袁国军黄晓鹏李世垚张莉
康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究被引量:6
2019年
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小。合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果。
王薇李传龙吴建华李兴隆
GEM孔几何形状对GEM探测器性能影响分析
2014年
气体电子倍增器(GEM)因独特的电极结构,使其具有高计数率、高位置分辨以及高稳定性等优越性能。本文分析了GEM探测器因孔径大小、孔几何结构的不同对探测器性能的影响,利用Maxwell 2D/3D有限元算法计算了不同孔结构孔中心线上的场强分布。
单超李笑梅胡守扬周静蹇司玉李兴隆
关键词:GEM有限元计算
一种放射性污染伤口辐射成像探测系统
本发明涉及一种放射性污染伤口辐射成像探测系统,包括升降控制电机、标尺台架以及辐射成像探测单元,标尺台架包括底部平台以及竖直支架,竖直支架上设置刻度标尺,以读取辐射成像探测单元到底部平台的距离;在竖直支架上固定一水平连接杆...
王薇李兴隆王玉剑汪传高邬蒙蒙庞洪超骆志平
共3页<123>
聚类工具0