李国斌
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华南师范大学信息光电子科技学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 量子阱结构与InGaN/GaN LED电电性能关系研究
- 在人类资源越来越枯竭和污染的今天，节能和环保成为了大家共同面对的一个挑战。LED以其节能、能效高、环保无毒、寿命长、可靠性高、体积小、可控性、冷发光、安全性等特点，使得其越来越受到人们的重视。目前，LED已经开始深入到我...
- 李国斌
- 关键词：量子阱结构发光性能发光二极管
- In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响被引量：4
- 2013年
- 运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率。因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低。
- 李国斌陈长水刘颂豪
- 关键词：数值模拟
- 单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究被引量：4
- 2014年
- 通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系、分析结果表明:1)In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大、3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大、4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小、因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率、
- 张大庆李国斌陈长水
- 关键词：光电子学INGANGAN发光二极管
- In_xGa_(1-x)N量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系被引量：1
- 2013年
- 运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出,当量子阱宽为2.5～3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极管获得最大内量子效率与发光效率。
- 李国斌陈常水刘颂豪
