李娜
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：霍英东青年教师基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 稀土难熔金属阴极材料研究进展被引量：4
- 2006年
- 研究了稀土钼阴极的热发射、次级发射及亚微米结构钪钨基扩散阴极的热发射性能.结果表明,La2O3-Mo热阴极具有良好的热电子发射性能并具有抗暴露大气的能力.稀土钼次级发射材料经过1000～1200℃的高温激活处理后,材料的最大次级发射系数超过4.0.湿法冶金方法制备的亚微米结构钪钨基扩散阴极850℃b时电流密度可达47 A/cm^2,且阴极表面的发射均匀性较普通钪酸盐阴极有明显的改善.
- 王金淑刘伟李娜古昕王亦曼袁海清李季
- 关键词：稀土钼钨阴极
- 大电流密度钪酸盐阴极制备的研究被引量：1
- 2016年
- 本文对钪酸盐浸渍式扩散阴极进行制备与研究。选择5种不同粒径的钨粉以及钪钨粉进行阴极基体的制备。通过对压制、烧结、浸渍工艺的改进优化及控制获得含钪扩散阴极。对阴极基体粉末进行分析，对阴极进行了脉冲发射测试，并将结果与普通浸渍式含钪扩散阴极进行了比较。研究结果表明这一批阴极的脉冲发射电流密度在1000℃，拐点发射电流密度达到60A／cm^2；1050℃时，能够得到接近130A／cm^2的拐点发射电流密度；同时空间电荷区的斜率为1．37～1．44，最高达到1.44，接近理论值1.5，这说明该阴极在具有优异发射性能的同时也具有很好的发射均匀性。
- 王卉邵文生高玉娟李娜
- 关键词：电流密度均匀性
- 用于太赫兹真空器件的大电流密度阴极
- 主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比。作者认为正在研发的热阴极和冷阴极(场发射阵列阴极)是未来太赫兹器件电子源的两个选择。目前,热阴极技术和场发射冷阴极也正在因为器件...
- 邵文生李娜李兴辉于志强白国栋王辉张珂李季
- 关键词：太赫兹真空器件热阴极冷阴极场发射阵列
- La2O3_Y2O3_Mo材料次级电子发射性能研究
- 本文采用溶胶凝胶(Sol-Gel)和两步氢还原法,成功制备了掺杂复合RE2O3(RE2O3=La2O3+Y2O3)的稀土钼粉末.采用放电等离子快速烧结方法(SPS)制备了致密样品.对其次级电子发射性能进行研究.研究结果表...
- 刘伟王金淑李娜周美玲
- 关键词：SOL-GEL钼
- 文献传递
- 大电流密度热阴极的实现途径
- 毫米波、自由电子激光、高功率微波及太赫兹器件对大电流密度阴极具有迫切的需求。实现大电流密度热阴极的主要途径包括改善基体均匀性、减小基体颗粒尺寸、优化发射盐配方、表面覆膜等。通过三种工艺均实现了100A/cm2的大电流密度...
- 邵文生李娜王辉王萍高玉娟朱木易
- 关键词：大电流密度热阴极钪酸盐
- 文献传递
- 用于太赫兹真空器件的大电流密度阴极
- 主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比。作者认为正在研发的热阴极和冷阴极(场发射阵列阴极)是未来太赫兹器件电子源的两个选择。目前,热阴极技术和场发射冷阴极也正在因为器件...
- 邵文生李娜李兴辉于志强白国栋王辉张珂李季
- 关键词：太赫兹真空器件热阴极冷阴极场发射阵列
- 文献传递
- 放电等离子体烧结稀土钼材料次级性能的研究被引量：1
- 2004年
- 采用溶胶凝胶(Sol Gel)和两步氢还原法,成功制备了掺杂复合RE2O3(RE2O3=La2O3+Y2O3)的稀土钼粉末,粒度分析结果表明粉体的平均粒径为80nm。采用放电等离子快速烧结方法(SPS)制备了致密样品,能谱结果表明稀土元素分布非常均匀。次级发射测试结果表明,经高温激活后,材料的次级发射系数达到2.94。
- 刘燕琴刘伟李娜王金淑周美玲
- 关键词：金属材料溶胶凝胶钼
- 溶胶-凝胶法制备稀土钼超细粉末被引量：7
- 2004年
- 采用溶胶 凝胶(Sol Gel)法成功制备了(La,Y)2O3 Mo超细粉末,利用XRD、TEM对还原后粉末相结构、形貌、粒度等进行了分析。结果表明:900℃二次还原后,钼以单质形式存在,稀土以氧化物形式存在。TEM观察表明,还原后稀土钼粉末粒径在70nm左右,粒度分析表明粉末D(n,50)=80nm。红外光谱(FT IR)分析表明,镧和钇通过氧与钼键合,削弱MoO键,使稀土钼复合氧化物可还原性增强。能谱分析显示烧结体中稀土元素分布均匀。
- 刘伟周美玲王金淑陈以欣李娜
- 关键词：稀土氧化物钼溶胶-凝胶
- W-Y_2O_3高温阴极的次级发射及应用研究
- 2012年
- 针对在医用磁控管中所使用的一种W-Y2O3高温阴极进行了研究。研究结果表明:阴极具有良好的次级发射性能,在阴极低温状态(约600℃)下最大次级发射系数δmax为2.45,满足器件对次级发射阴极的要求。另外,在实际应用方面的研究表明,阴极在某型号医用磁控管中的工作温度在1400～1500℃左右,电流密度达到7.4A/cm2,输出功率超过4MW。上述研究表明,此阴极是一种有效的次级发射源。
- 李娜高玉娟
- 亚微米钨基含钪扩散阴极的性能研究被引量：3
- 2011年
- 研究了具有超细微观基体结构的含钪扩散阴极的性能。采用溶胶-凝胶的方法来制备阴极基体粉末,通过改善阴极基体粉末的均匀性从而改善浸渍后阴极表面的均匀性。研究表明,通过对基体粉末的压制及烧结工艺的控制,能够获得具有合适孔度的亚微米结构的多孔钨基。浸渍发射活性物质即钪酸盐后,得到含钪扩散阴极。阴极的孔度及浸渍率可以达到实验及常规生产中要求的水平。发射测试结果表明,阴极在相同的测试温度下的发射水平明显高于普通基体结构的浸渍式钪酸盐阴极。且在1000℃时,亚微米基含钪扩散阴极测得的最高测试电流密度为62.95A/cm2(未测到拐点)。
- 李娜高玉娟朱木易
- 关键词：溶胶凝胶
