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李文范

作品数:23 被引量:23H指数:3
供职机构:中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 11篇气敏
  • 11篇气敏元件
  • 11篇常温
  • 8篇半导体
  • 4篇氧化锡
  • 3篇电池
  • 3篇可燃性气体
  • 3篇SNO
  • 3篇LB膜
  • 2篇研磨
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化钛
  • 2篇酞菁
  • 2篇酞菁铜
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土氧化物
  • 2篇敏感元件
  • 2篇金属

机构

  • 23篇中国科学院

作者

  • 23篇李文范
  • 17篇刘秀英
  • 3篇张瑞峰
  • 2篇王丽颖
  • 2篇孙玉茹
  • 2篇于亚莉
  • 2篇李亦兵
  • 1篇林观阳
  • 1篇陈文启
  • 1篇朱玉兰
  • 1篇李兴林
  • 1篇李柱石
  • 1篇王新平
  • 1篇刘雅言
  • 1篇沈琪
  • 1篇席时权

传媒

  • 5篇化学传感器
  • 4篇太阳能学报
  • 2篇仪表技术与传...
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇应用化学
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 5篇1994
  • 3篇1993
  • 6篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 1篇1989
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
EBD法制备ZnIn_2Te_4薄膜的性质与XPS研究
1994年
用电子束加热沉积法(EBD)制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能,用电子能谱(XPS)分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态;典型ZnIn2Te4膜最佳参数为:电阻率ρ为3.2×10-1Ω·cm,Hall迁移率是79cm2V-1s-1,载流子浓度是1.58×1017cm-3,禁带宽度(Eg)是2.33eV;探讨了ZuIn2Te4膜导电机理,制作了ZuIn2Te4-Si太阳能电池。
张瑞峰李兴林李文范于英
关键词:电子束电子能谱
常温气敏元件的研究及其应用被引量:1
1991年
一、引言 气敏元件不但在煤炭、石油、化工、电力等工业部门有着广泛应用,而且在民用上也日趋增加,如宾馆、饭店、家庭等。但是,目前应用的气敏元件基本上都是加热元件,常温元件很少有报道。常温元件与加热元件比,它的突出特点是不需要加热,因此带来一系列优点,如工艺结构简单、功耗低、成本低、灵敏、稳定、安装使用方便、减少引起火灾的不安全因素等。
李文范刘秀英
关键词:气敏元件室温
电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征
1992年
研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10^(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm^2·V^(-1)·S^(-1),载流子浓度N是1.51×10^(17)cm^(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。
张瑞峰于亚莉孙玉茹李文范
常温半导体气体敏感元件的制备
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。;该元件在常温下使用,检测烟雾和可燃性气体,其结构和工艺简单,成本低,灵敏度高,响应和恢复时间快。;其配方组成为:以SnO<Sub>2</Sub>量为基准,SnCl<Sub>4</...
李文范刘秀英
文献传递
常温C_eO_2气敏元件的气敏性被引量:2
1990年
研制成功了一种新型以 SnO_2为基质材料的常温 CeO_2气敏元件(简称 CeO_2元件).CeO_2元件无需要加热器也无需贵金属,该元件结构和制备工艺简单。CeO_2元件对烟和某些可燃性气体灵敏度高、稳定、响应快、恢复快。本文对已获结果进行了简单地讨论。
刘秀英李文范
关键词:气敏元件气敏性二氧化铈半导体
非加热可燃性气体报警器
本实用新型公开了一种可燃性气体报警器。;本实用新型采用非加热式半导体气敏元件作探头,配合该气敏元件特性的特有电路由监测报警、音响和电源三部分组成,电路原理如图(4)所示。;本报警器可对0.3%—0.5%液化石油气、煤气,...
刘秀英李文范刘传普
文献传递
常温SnO_2—TiO_2气敏元件被引量:2
1992年
本文通过对元件进行IR和BET的测试以及温度与元件电阻的关系的分析,探讨了元件的性能机理,介绍了元件的制作方法及其性能。
李文范刘秀英
关键词:常温气敏元件二氧化锡二氧化钛
非加热TiO_2气敏元件被引量:1
1992年
本文首次报道了非加热SnO_2—TiO_2气敏元件。该元件不掺任何贵金属,不加热,对 H_2、煤气、LPG有较高灵敏度,响应时间7秒左右,恢复时间小于19秒,老化实验11个月,气敏性不变,低功耗,0.1瓦左右。对CO和CH_4不敏感,有一定选择性。通过IR、BET、以及温度与元件电阻的关系,探讨了元件的机理。
李文范刘秀英
关键词:气敏元件二氧化钛半导体
常温半导体气体敏感元件的制备
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。;该元件在常温下使用,检测烟雾和可燃性气体,其结构和工艺简单,成本低,灵敏度高,响应和恢复时间快。;其配方组成为:以SnO<Sub>2</Sub>量为基准,SnCl<Sub>4</...
李文范刘秀英
文献传递
非加热气敏元件选择性机理探讨
1994年
已研制成非加热气敏元件。通过XRD、IR、BET等测试手段研究了非加热气敏元件的气敏机理。指出元件的表面积越大,142m^2/g。吸附的OH^-(O^(2-))越多,气敏性越好。通过元件运行温度与电阻变化关系,元件表面吸附氧的状态与温度关系的研究,指出了元件表面吸附氧的状态主要以O^-和O^(2-)存在,元件对H_2等还原气体灵敏,对CO不敏感,解释了元件的选择性。
李文范刘秀英
关键词:二氧化锡选择性气敏元件
共3页<123>
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