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李梦雄

作品数:20 被引量:57H指数:2
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 4篇电子电信

主题

  • 10篇石墨
  • 10篇鳞片石墨
  • 8篇热导率
  • 6篇散热
  • 5篇石墨化
  • 5篇石墨化处理
  • 5篇高热导率
  • 4篇电路
  • 4篇氧化石墨
  • 4篇天然鳞片石墨
  • 4篇天然石墨
  • 4篇复合材料
  • 4篇
  • 4篇复合材
  • 3篇集成电路
  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准源
  • 2篇导电
  • 2篇导电油墨
  • 2篇导热

机构

  • 20篇复旦大学

作者

  • 20篇李梦雄
  • 16篇卢红斌
  • 9篇张佳佳
  • 4篇王珂
  • 3篇洪志良
  • 2篇朱臻
  • 2篇何捷
  • 2篇林珊
  • 2篇王涛
  • 1篇周晓晖
  • 1篇易婷
  • 1篇李兴仁
  • 1篇陈仲欣
  • 1篇张涛

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇复旦学报(自...

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 3篇2001
  • 1篇2000
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种催化氨硼烷脱氢的高效钴催化剂的制备方法
本发明涉及一种催化氨硼烷脱氢的高效钴催化剂的制备方法。该催化剂PEI-GO/Co的载体为聚乙烯亚胺(PEI)修饰的氧化石墨烯(GO),水溶性钴离子为前驱体与PEI上的氨基络合,利用还原剂硼氢化钠将钴离子还原为钴纳米粒子。...
卢红斌胡建彤李梦雄陈仲欣周晓晖
文献传递
一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源被引量:47
2001年
介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .
何捷朱臻王涛李梦雄洪志良
关键词:带隙基准源温度补偿温度系数电源抑制比集成电路
一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法
本发明涉及一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法。该方法包括如下步骤:将层状石墨烯框架材料颗粒浸入金属盐溶液中并过滤得到包含金属盐溶液的湿态层状石墨烯框架材料颗粒;所述湿态层状石墨烯框架材料颗粒在沉淀剂溶液中沉淀并过滤干燥...
卢红斌阮英波李梦雄张佳佳赵则栋王灿灿马建华孙敏强
一种层状碳材料的制备方法
本发明涉及一种高导电性层状碳材料的制备方法,将糖类前驱体粉末或溶液在预热好的管式炉或马弗炉中快速加热,即形成碳纳米片;将所得碳纳米片在惰性气体氛围中进一步高温处理,可得到高导电性层状碳材料。本方法无需催化剂和模板剂,且反...
卢红斌张佳佳李梦雄陈宇菲刘沛莹
文献传递
一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法
本发明涉及一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法。该方法包括如下步骤:将层状石墨烯框架材料颗粒浸入金属盐溶液中并过滤得到包含金属盐溶液的湿态层状石墨烯框架材料颗粒;所述湿态层状石墨烯框架材料颗粒在沉淀剂溶液中沉淀并过滤干燥...
卢红斌阮英波李梦雄张佳佳赵则栋王灿灿马建华孙敏强
文献传递
一种层状碳材料的制备方法
本发明涉及一种高导电性层状碳材料的制备方法,将糖类前驱体粉末或溶液在预热好的管式炉或马弗炉中快速加热,即形成碳纳米片;将所得碳纳米片在惰性气体氛围中进一步高温处理,可得到高导电性层状碳材料。本方法无需催化剂和模板剂,且反...
卢红斌张佳佳李梦雄陈宇菲刘沛莹
一种三维石墨烯结构体/高质量石墨烯的制备方法
本发明提供了一种三维石墨烯结构体/高质量石墨烯的制备方法,将天然鳞片石墨或人造石墨进行插层处理,制得石墨层间化合物;将得到的石墨层间化合物在膨胀剂中进行膨胀处理,得到高比表面积三维石墨烯结构体。通过球磨、剪切、高速流体粉...
卢红斌张佳佳赵晓莉李梦雄潘云梅陈宇菲林珊
一种碳/碳复合散热膜的制备方法
本发明涉及一种大尺寸、高热导率的碳/碳复合散热膜的制备方法,以天然的鳞片石墨作为原料,通过改良的氧化石墨制备方法,得到极易清洗的高度氧化石墨,随后将氧化石墨分散在溶剂中与聚合物共混制备成浆料,在基底上涂膜,得到的湿膜烘干...
卢红斌李梦雄王珂
文献传递
一种氧化石墨制备天然石墨散热膜的方法
本发明涉及一种大尺寸、高热导率的天然石墨散热膜的制备方法,以天然的鳞片石墨作为原料,通过改良的氧化石墨制备方法,得到极易清洗的高度氧化石墨,随后将氧化石墨分散在溶剂中制备成浆料,在基底上涂膜,得到的湿膜烘干后脱模收卷,进...
卢红斌李梦雄王珂
一种新颖的电路工作点求解方法
2000年
介绍了一种基于数学优化并采用设计方程评估电路性能的 CMOS单元模拟电路的自动综合技术。它采用一种新颖的“纹波推进法”来确定电路的静态工作点 ,并用较高精度的小尺寸MOS器件评估器求解 MOS器件的电学参数。利用本方法实现的几种 CMOS单元电路的自动综合程序已经集成到复旦模拟电路自动化设计系统 ( FDAADS)
李梦雄李兴仁洪志良易婷张涛
关键词:集成电路模拟电路
共2页<12>
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