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杜倩倩

作品数:9 被引量:12H指数:2
供职机构:聊城大学物理科学与信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇发光
  • 2篇电致发光
  • 2篇电子传输
  • 2篇电子传输层
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇有机电致发光
  • 2篇晶体
  • 2篇共掺
  • 2篇光学
  • 2篇光学器件
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇ZNS
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇等离子体
  • 1篇电流效率
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电阻
  • 1篇堆积密度
  • 1篇氧化锌

机构

  • 9篇聊城大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国药科大学
  • 1篇广西民族师范...

作者

  • 9篇杜倩倩
  • 5篇张丙元
  • 5篇王文军
  • 4篇刘云龙
  • 4篇李淑红
  • 3篇高学喜
  • 3篇史强
  • 2篇王青如
  • 1篇汤琨
  • 1篇张栋
  • 1篇顾书林
  • 1篇朱顺明
  • 1篇董瑞新
  • 1篇姚峥嵘
  • 1篇叶建东
  • 1篇姚一村
  • 1篇王媛

传媒

  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇发光学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国激光
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
提高有机发光二极管发光性能的阳极修饰方法被引量:2
2016年
通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(dnm)/NPB(40-dnm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)、ITO/MoO3(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)结构的器件,研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现,当缓冲层的厚度为15nm时,器件的启亮电压从未加缓冲层的13V降到了9V,最大发光亮度从未加缓冲层的5900cd/m2增加到16300cd/m2,是原来的2.76倍。最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8cd/A变为3.5cd/A,是原来的1.94倍。然后在器件的氧化铟锡(ITO)与NPB之间插入了厚度为15nm的MoO3缓冲层。与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8V,最大亮度为13320cd/m2,最大电流密度为6030.74A/m2,最大的电流效率为3.06cd/A。
夏树针王文军杜倩倩李淑红张栋高学喜王青如张丙元
关键词:光学器件有机发光二极管缓冲层发光亮度电流效率
ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性
2014年
通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。
秦书超董瑞新杜倩倩王媛
关键词:负微分电阻退火温度
基底温度对电子束沉积SiO2薄膜的影响被引量:4
2014年
利用热力学统计理论及薄膜生长理论,给出了薄膜堆积密度、折射率与基底温度之间的关系。在实验中采用电子束热蒸发技术,在不同的沉积速率和基底温度下制备了单层二氧化硅薄膜。研究了沉积速率与薄膜表面均匀度及折射率的关系,并着重分析了基底温度对薄膜折射率、透射率、表面形貌及微观结构的影响。实验结果表明:基底温度升高,薄膜表面粗糙度减小,晶粒间隙缩小,折射率增加,透射率提高,吸收度降低。且当基底温度为500℃时,在可见光区域SiO2薄膜的透射率可达99.4%以上。对实验数据进行拟合,理论计算与实验结果符合得很好。
杜倩倩王文军李淑红刘云龙和晓晓高学喜张丙元史强
关键词:电子束蒸发基底温度堆积密度
银铝共掺ZnS高效电子传输层的制备与特性被引量:1
2014年
从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料,从理论上计算出杂质原子的波尔半径,对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层,制备了结构为ITO/NPB/Alq3/ZnS∶Ag-Al(x)/PBD/Al的有机电致发光器件,分析了不同厚度的银铝共掺硫化锌电子传输层对器件发光强度的影响,并对共掺硫化锌中载流子传输机制进行了分析。实验发现共掺硫化锌具有良好的空穴阻挡和电子传输性能。当银铝共掺硫化锌电子传输层厚度为8 nm时,器件的相对发光强度和电致发光强度相对于没有电子传输层的器件分别增加了430倍和130倍,器件的阈值电压也降低了4 V。与纯硫化锌作为电子传输层器件相比,相对发光强度提高3倍。
和晓晓王文军李淑红王青如杜倩倩刘云龙史强张丙元
N掺杂ZnO的缺陷识别与物性调控被引量:3
2020年
ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料.然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用.近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大程度依赖于其中杂质缺陷的组成,因此对ZnO中缺陷的种类识别和调控手段的研究成为ZnO材料走向应用前待解决的重要问题.本文结合近年来的研究进展,介绍了ZnO中各类本征缺陷的性质和调控手段,指出了N掺杂ZnO体系中受主的主要来源,获得了抑制补偿施主和诱导浅受主的一系列有效方法.在此基础上,提出了等价元素-受主共掺技术,实现了ZnO纳米材料的p型掺杂及同质结LED,并进一步拓展了ZnO纳米材料应用于存储器和宽频光探测器.
汤琨姚峥嵘许钟华杜倩倩朱顺明杜倩倩朱顺明
关键词:氧化锌氮掺杂本征缺陷P型掺杂光探测器
螺芴氧杂蒽LB膜的制备及光谱特性研究被引量:1
2016年
为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为,分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性,以及分子有序排列对其发光特性的影响,制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜,研究了π-A等温曲线,测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明,分子以face-on形式平躺在亚相表面,单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm,归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁;荧光发射峰位在396,419,445 nm(肩峰),归属于发色团三聚氧杂蒽,是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中,吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比,整体红移6 nm。结果表明:在LB膜中,两个分子形成激基缔合物,与单分子状态相比,激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比,该材料在LB膜中有很强的荧光发射,表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。
高学喜王文军刘云龙姚一村张丙元杜倩倩夏树针
关键词:LB膜荧光光谱
一维窄带光子晶体制备与光学特性研究被引量:1
2015年
在实验上研究了不同材料构成的一维窄带光子晶体带隙特性,采用电子束热蒸发技术,制备了一系列可见光范围内的窄带光子晶体反射镜。实验结果表明:高低折射率比值能够影响光子晶体对相应频率光的抑制能力。折射率比值恒定时,随周期数的增多,最大反射率增大,带隙宽度减小;对于折射率比值不同的光子晶体,折射率比值越小,带隙越窄,达到高反射率所需的周期数目越多。通过构建异质结构光子晶体,显著缩小了光子晶体带隙,并使其在短周期内实现了窄帯高反射率。
杜倩倩王文军李淑红刘云龙史强张丙元
关键词:光学器件光子晶体电子束蒸发光子禁带
有机电致发光器件的发光增强效应研究
有机电致发光器件具有全固态,易弯曲,可视角度大等优点,被广泛应用于电视,电脑,手机,手表等显示业。尤其是磷光材料的使用已经将有机电致发光器件商用化。但是有机电致发光仍然面临着许多挑战:材料老化引起色彩漂移,蓝光材料寿命相...
杜倩倩和晓晓王文军李淑红王青如史强张栋张丙元
关键词:OLED电子传输层银纳米颗粒表面等离子体
基于有机蓝光微腔的激光器件制备及研究
随着有机电子学的迅速发展,基于有机薄膜的电子器件在照明、显示、存储、传感等领域展现了广阔的应用前景。有机材料具有新颖的光电特性,光谱可调、成本低、柔性可弯曲等优点,受到众多激光研究者的青睐。有机半导体激光器(Organi...
杜倩倩
关键词:有机电致发光半导体激光器
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