杨卫明
- 作品数：9 被引量：21H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- Ba_(1-x)Sr_xTiO_3及Ba_(0.6-x)Pb_xSr_(0.4)TiO_3陶瓷的制备和介温特性研究
- 2010年
- 用固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)及Ba0.6-xPbxSr0.4TiO3(BPST)陶瓷,通过XRD,FESEM和拉曼谱分析了Pb掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3样品的晶格、相变及表面形貌的影响.测试了BST及BPST样本系列的介电常数-温度(介温)谱,研究了BST及BPST钙钛矿结构中Sr和Pb成分对居里温度和居里峰值的调节机理,运用修正的Smolenski成分起伏理论和居里外斯定律,对BPST弥散相变进行了数学统计分析,得出弥散指数α为1.29—1.73,相变宽度为13.2—22.3℃,居里常量为1.25×105—2.87×105K数量级.
- 王梦贺建龙杨卫明吴云翼李建军雷强于军
- 关键词：BST弥散相
- PZT陶瓷靶材的制备及相成分分析被引量：1
- 2007年
- 采用固相反应法制备了一系列PZT陶瓷靶材,并用XRD对其进行了相成分分析.结果表明,PbO的富足可以大大抑制PbZrO3的分解,还可以抑制焦绿石相的产生,起到稳定钙钛矿相的作用.然而,过量的PbO会使材料局部区域的相成分发生波动,故而破坏相成分的一致性.此外,对单块的PZT样品进行烧结还会出现陶瓷分层现象,将多块样品放在一起烧结或采用先进的烧结工艺有利于抑制分层.
- 贺鳞翔彭刚杨卫明郑朝丹于军王耘波
- 关键词：PZT固相反应钙钛矿相
- 射频磁控溅射参数对Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜结构和性能的影响(英文)
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,研究了工作气压、衬底温度等溅射参数对Ba0 .7Sr0.3Ti O3薄膜结构和电学性质的影响。使用XRD分析了工作气压为2Pa、衬底温度分别为200 ℃、400 ℃、600 ℃(组a) ,以及衬底温度为600 ℃、工作气压分别为1.5Pa、2.0Pa、2.5Pa、3.0Pa和5 .0Pa (组b)两组薄膜的微结构,结果表明工作气压在2.5Pa以下、衬底温度为600℃时沉积的薄膜具有较好的钙钛矿结构。在1.5Pa条件下溅射的薄膜具有明显的(111)择优取向。在2.5Pa时,Pt/Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt电容有最优铁电性能,在外加4 V电压(电场为80 kV/cm)下,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为2.32μC/cm2、21.1 kV/cm。
- 于军杨卫明周申宋超王耘波
- LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响被引量：4
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5 V电压(电场约125 kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec分别为50.5μC/cm2和55 kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.
- 杨卫明彭刚李建军于军
- 关键词：电子材料铁电薄膜射频磁控溅射铁电性能
- 铁电移相材料Ba<,1-x-y>Pb<,x>Sr<,y>TiO<,3>的制备与性能研究
- 相控阵天线用铁电薄膜移相器是一种基于铁电材料的新型移相器，具有扫描速度快、精度高、驱动功率小、波控系统简单、工作温度范围宽、多目标跟踪与处理、价格低廉等优点，是目前军事、航天等领域雷达系统的研究热点之一。本文研究了Ba1...
- 杨卫明
- 关键词：相控阵天线铁电薄膜射频磁控溅射法
- 磁电复合材料的研究进展被引量：12
- 2004年
- 介绍了铁电-铁磁复合材料的国内外研究现状、制备方法,讨论了铁电-铁磁复合材料性能的影响因素,提出了其目前存在的问题及今后的发展方向.
- 熊钢杨卫明
- 关键词：磁电效应
- 退火气压对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的微观结构和铁电性能的影响
- 2009年
- 采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750℃时不同退火气压(pO2:10-4—3atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3atm氧气压下退火的薄膜晶化度明显降低.同时,XRD结果反映出10-1atm氧气压下退火的薄膜具有a轴择优取向.FSEM截面形貌显示0.1atm氧气压下退火的薄膜由与a轴取向相对应的柱状晶粒构成,1atm氧气压下退火的薄膜为由随机取向相对应的斜杆状晶粒构成.薄膜的微观结构最终影响了其铁电性能.0.1atm氧气压下退火的薄膜具有最大的剩余极化值(Pr=17.8μC/cm2)和最小的矫顽场强(Ec=73.6kV/cm),以及良好的抗疲劳特性.
- 李建军于军李佳杨卫明吴云翼王耘波
- 关键词：铁电性能SOL-GEL法
- 钛酸铋基铁电薄膜研究进展被引量：4
- 2006年
- 钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。
- 张端明杨斌魏念李智华郑朝丹吴云翼郭冬云王龙海杨卫明王耘波高俊雄于军
- 关键词：钛酸铋铁电薄膜掺杂改性
- Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3及其含Pb弥散相铁电体介电性能的研究
- 2009年
- 用固相反应法制备了Ba0.7Sr0.3TiO3及其含Pb钛酸锶钡(BPST)陶瓷,运用修正的Smolenski的成分起伏理论和居里外斯定律,结合介电常数温度谱,研究了钙钛矿结构的BST及铅取代的钛酸锶铅钡(BPST)的弥散相,对其相变行为进行了分析,得出了的一些铁电模型参数。结果表明,该系列样品在弥散相变区的弥散指数α为1.29～1.88,相变区间为13.4～22.8℃;在顺电相其居里常量为1.25×105～1.47×105K数量级。当Pb含量为0.1(即Ba0.6Pb0.1TiO3)时,居里峰较宽,弥散相明显,故具有较高的调谐温度稳定性。另外铅的加入提高了铁电体的相变温度,从44℃上升到175℃。
- 王梦贺建龙杨卫明李建军王耘波于军
- 关键词：弥散相变温度稳定性
