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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇线切割
  • 1篇断线
  • 1篇损伤层
  • 1篇翘曲度
  • 1篇黏度
  • 1篇温度
  • 1篇线锯
  • 1篇晶片
  • 1篇硅片
  • 1篇硅片表面
  • 1篇钢线
  • 1篇SIC

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇马玉通
  • 4篇杨士超
  • 1篇栾国旗
  • 1篇赵文华
  • 1篇李强

传媒

  • 4篇电子工业专用...

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响被引量:4
2011年
目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。
赵文华马玉通杨士超
关键词:翘曲度
线锯钢线断线续切技术研究被引量:1
2013年
根据切割线的特性,分析了在多线切割过程中钢丝断线的各种原因;在生产中,有效控制断线率可以对降本增收起到很大的作用。在大量实验的基础上,归纳总结出断线后续切技术,有效的保障了生产工作的顺利进行。
马玉通杨士超
关键词:线切割
线切割硅片表面探究被引量:1
2013年
硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。
栾国旗杨士超马玉通
关键词:损伤层硅片
温度对悬浮浆料黏度的影响
2013年
多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮浆料有着非常重要的作用,悬浮浆料由悬浮液和SIC切割微粉配制并长时间搅拌而成,性能优良的悬浮浆料兼有切削、黏滞、冷却3大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率,研究其特性对于科研生产意义重大,通过对悬浮液特性的研究,进而研究悬浮浆料对切割效果的影响,主要是温度对其的影响,说明在生产中,悬浮浆料要控制在适宜的黏度范围内,才能有效控制晶片质量。
李强马玉通杨士超
关键词:黏度
共1页<1>
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