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武德起

作品数:28 被引量:65H指数:6
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 10篇理学
  • 4篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇电池
  • 4篇激光
  • 3篇栅介质
  • 3篇烧蚀
  • 3篇太阳电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇介电
  • 3篇激光烧蚀
  • 3篇耿氏二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇钝化
  • 2篇形貌
  • 2篇栅介质材料
  • 2篇振荡
  • 2篇振荡器
  • 2篇振荡源
  • 2篇太赫兹
  • 2篇铁电存储器

机构

  • 15篇中国科学院微...
  • 11篇河北大学
  • 5篇中国科学院新...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇河南机电职业...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇宁夏大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇廊坊师范学院
  • 1篇国家电光源质...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 28篇武德起
  • 11篇刘新宇
  • 11篇贾锐
  • 6篇叶甜春
  • 5篇王英龙
  • 5篇吴大卫
  • 5篇陈晨
  • 5篇金智
  • 4篇周阳
  • 4篇赵庆勋
  • 4篇闫正
  • 4篇刘保亭
  • 4篇赵红生
  • 3篇陈宝钦
  • 3篇闫常瑜
  • 3篇李昊峰
  • 3篇姚金城
  • 3篇常爱民
  • 3篇白阳
  • 2篇乔晓东

传媒

  • 6篇河北大学学报...
  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇宁夏大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2006
  • 3篇2005
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种耿氏二极管、其制备方法及毫米波振荡器
本发明公开了一种耿氏二极管、其制备方法及功率合成毫米波振荡器,属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管由下至上依次包括集成热沉、金属电极、渡越层、第二接触层、顶电极和金加厚电极。该制备方法包括:在半导体衬底上依次生长第一接触...
武德起贾锐金智刘新宇叶甜春
文献传递
高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能被引量:2
2009年
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
武德起姚金城赵红生常爱民李锋周阳
关键词:ZRO2薄膜漏电流
氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响
2005年
采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响.结果表明,当环境气压小于50Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大.指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关.
闫常瑜周阳褚立志武德起王晓菲王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀纳米硅形貌
外包壳对具有氧化孔径层的圆柱形VCSEL阈值增益的影响被引量:2
2006年
采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光器主体结构隔开.从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面,与理想金属外包壳情况进行了比较.结果表明,高阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律基本相同,而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大.
王英龙郑云龙武德起尚勇阎正赵顺龙阎常瑜
关键词:垂直腔面发射激光器
LED球泡灯光衰激活能评估方法
2023年
通过对BPZ 220/5 W JA55型阳光球泡灯进行额定功率下40℃和60℃温度应力加速寿命实验,分析了该款LED球泡灯的失效机理.通过推导激活能计算公式,建立了计算光衰激活能的理论模型,给出了测试LED球泡灯光衰激活能方法.通过实验测定该款球泡灯的光衰激活能数值为0.67 eV.
武德起武夷平楚晓杏
关键词:激活能光衰
基于高效太阳电池的光诱导镀技术
2011年
介绍了光诱导镀(light-induced plating,LIP)应用于太阳电池的背景、发展历史及其工作原理。论述了光诱导镀技术对太阳电池性能的影响,并重点探讨了光诱导镀技术对太阳电池前表面电极接触性能的改善效果。同时,还讨论了光诱导镀技术应用于铝背表面场(Al-BSF)和激光烧制接触(laser fired contact,LFC)两种高效太阳电池上所取得的成果。当接触电阻成为串联电阻中的主要成分时,光诱导镀能够降低接触电阻、提高填充因子,从而提高电池的效率。光诱导镀特别适合于改善串联电阻较大的电池,利用光诱导镀也可以重新优化电池的烧结条件,得到更高的电池效率。
邢钊贾锐吴大卫孟彦龙武德起陈宝钦刘新宇叶甜春
关键词:太阳电池电极接触串联电阻填充因子
耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究
2013年
介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术(MBE)在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的一致性掺杂外延结构,在外延结构正面利用电子束蒸发Ge/Au/Ni/Au作为器件阴极和电镀金制备作为散热层,背面通过化学湿法腐蚀形成台面(MESA)。在不同的温度下进行了退火对比实验,研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明:退火温度为450℃时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行,利用Ge/Au/Ni/Au制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能,用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较好的垂直台面(MESA)。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。
白阳贾锐刘新宇武德起金智
关键词:太赫兹磷化铟退火
基于耿氏效应的太赫兹源的研究进展
毫米波和亚毫米波具有某些特定的性质,并在太赫兹领域的具有很宽广的应用领域,尤其在国防、安检、成像方面已有突出的作用。本文介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理,工艺流程,关键技术的解决和耿氏...
白阳贾锐刘新宇武德起金智
关键词:耿氏二极管封装技术腔体结构
晶体硅太阳电池表面钝化技术被引量:17
2011年
介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2O3,以及这些钝化膜的叠层钝化技术的优缺点。在此基础上进一步指出SiO2/SiNx叠层钝化膜将成为今后工业化生产的研究重点,Al2O3及其叠层钝化膜将成为今后实验室的研究重点,由于表面钝化是提高晶体硅太阳电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅太阳电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点问题之一。
陈伟贾锐张希清陈晨武德起李昊峰吴大卫陈宝钦刘新宇
关键词:太阳电池钝化
硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究被引量:1
2006年
应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm。研究了异质结的结构和性能。实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω.cm。
刘保亭程春生赵庆勋闫正马良李锋武德起
关键词:硅衬底锆钛酸铅溶胶-凝胶法厚膜
共3页<123>
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