毛陆虹
- 作品数：448 被引量：401H指数：8
- 供职机构：天津大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 一种应用于高速光互连的PAM4信号的接收解调电路
- 本发明公开了一种应用于高速光互连的四阶脉冲调制(PAM4)信号的接收解调电路，所述电路包括：跨阻放大器，用于将输入的PAM4电流信号转化为PAM4电压信号，并放大，均衡PAM4电压信号的高频衰减，消除码间干扰；电平移位器...
- 谢生李宸名毛陆虹
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- 用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路
- 本发明公开了用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路，其涉及无线通信领域，特别是涉及用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路。所述用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路由CMOS模拟射频部分、CMOS数字部...
- 毛陆虹李建恒张世林谢生
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- 吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法
- 本发明公开了一种吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法，结构包括：N<Sup>+</Sup>InP衬底，在所述N<Sup>+</Sup>InP衬底上从下到上依次设置有N‑InP缓冲层、多层不同掺杂浓度的N‑In...
- 谢生朱帅宇毛陆虹
- 一种基于RFID的血氧脉搏检测系统
- 本发明公开了一种基于RFID的血氧脉搏检测系统，涉及血氧脉搏检测系统领域，包括：血氧脉搏探测处理模块、射频标签、阅读器、控制模块和上位机，血氧脉搏探测处理模块包括：血氧脉搏传感器、信号处理电路和微处理器，其中，血氧脉搏传...
- 谢生程嘉奇毛陆虹战金雷
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- 1Gb/s CMOS调节型共源共栅光接收机被引量：6
- 2010年
- 基于特许0.35μm EEPROM CMOS标准工艺设计了一种单片集成光接收机芯片,集成了双光电探测器(DPD)、调节型共源共栅(RGC)跨阻前置放大器(TIA)、三级限幅放大器(LA,limiting amplifier)和输出电路,其中RGCTIA能够隔离光电二极管的电容影响,并可以有效地扩展光接收机的带宽。测试结果表明,光接收机的3dB带宽为821MHz,在误码率为10-9、灵敏度为-11dBm的条件下,光接收机的数据传输速率达到了1Gb/s;在3.3V电压下工作,芯片的功耗为54mW。
- 肖新东毛陆虹余长亮张世林谢生
- 关键词：光接收机CMOS
- 用于相控阵雷达的高线性度低噪声放大器
- 2016年
- 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器。该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率。为了提高线性度,第2级采用了具有线性补偿功能的线性化偏置电路。仿真结果表明,在中心频率为16.5GHz,带宽为2GHz的频带范围内,噪声系数小于3.9dB,其最小值为3.22dB,功率增益大于23.5dB,输出1-dB压缩点在中心频率处大于6.5dBm。在3.3V电源电压下,静态功耗为66mW,芯片面积为(1 245×580)μm2。
- 张小波谢生毛陆虹
- 关键词：相控阵低噪声放大器SIGEBICMOS单片集成
- 基于共振隧穿机制的太赫兹波振荡器特性模拟被引量：1
- 2014年
- 共振隧穿器件由于其具有高频高速的特点,适用于制作太赫兹波段的振荡源器件。本文主要针对太赫兹波段的共振隧穿二极管(RTD)的振荡特性进行模拟仿真。利用等效电路理论和Pspice软件对共振隧穿振荡器(RTO)的等效电路模型进行振荡频率和功率的模拟计算。在理论计算中将隧穿和渡越时间效应以及寄生元件等制约因素都进行了分析,结果表明通过改进RTD和缝隙天线的结构,共振隧穿振荡器的振荡频率可达1.2THz,输出功率可达到115?W。并且在Pspice仿真环境下进行验证,结果也与理论计算较为相符。
- 牛萍娟于莉媛毛陆虹郭维廉
- 关键词：RTD振荡器振荡特性
- 微光电子集成芯片及其应用被引量：2
- 2003年
- 一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究与发展,其特征尺寸都已进入深亚微米、十纳米以至纳米量级。所研究对象的低维化和结构的微细化不仅是其性能改善的要求。
- 陈弘达毛陆虹邓晖唐君杜云吴荣汉
- 关键词：SEED光子集成光输出倒装焊VCSEL光互连
- 串联升压太阳能电池单元
- 本实用新型涉及一种串联升压太阳能电池单元：在轻掺杂的P<Sup>-</Sup>型硅衬底上制备有浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备有一个中等掺杂的N阱；利用离子注入工艺在N型基底中制备有一个大面积、重掺杂的P...
- 谢生毛陆虹张世林侯贺刚
- 吸收增强的光栅耦合型硅基光电探测器及其制备方法
- 本发明属于光纤通信及光互连领域，为提出一种吸收增强的光栅耦合型硅基光电探测器。所述器件结构能够提高探测器的响应度和工作速度。为此，本发明采用的技术方案是，吸收增强的光栅耦合型硅基光电探测器及其制备方法，由叉指型双光电探测...
- 谢生乔静毛陆虹
- 文献传递
