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沈晓明

作品数：71 被引量：70H指数：5
供职机构：广西大学更多>>
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相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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文献类型

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领域

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  • 5篇太阳能光电
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作者

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  • 5篇2003
  • 8篇2002
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种智能式ETFE膜太阳能光纤照明装置
一种智能式ETFE膜太阳能光纤照明装置，包括单片机、ETFE球形罩、外支撑筒座、跟踪聚光机构和方向控制机构，所述ETFE球形罩安装在外支撑筒座上；所述跟踪聚光机构安装在外支撑筒座中，跟踪聚光机构包括内支撑筒座、半球形支座...
梁倍铭罗茂源王坤沈晓明
文献传递
热障涂层界面应力测试研究进展被引量：2
2016年
热障涂层为先进的抗热防腐高温防护涂层,广泛应用于航空航天的燃气涡轮叶片上。其多层结构特点以及复杂的服役环境往往造成层间界面裂纹与涂层剥离的失效形式。残余应力作为诱导裂纹产生和扩展的直接原因,检测残余应力的演变对研究涂层失效有着重要的指导意义,也是研究最为广泛的内容之一。介绍了热障涂层各层间残余应力的形成与主要影响因素,阐述了热障涂层/高温合金体系多层界面结构的应力检测方法的检测原理与研究进展,同时比较了这些检测技术在热障涂层中的适用范围以及优缺点。
汪伊丽梁天权沈晓明张修海曾建民
关键词：热障涂层应力
一种反射式PETE太阳能光电转换方法及其转换装置
本发明公开了一种反射式PETE太阳能光电转换方法及其转换装置，将阴极材料和阳极材料置于真空环境中，太阳光经聚光装置后形成汇聚太阳光直接照射在阴极材料正面，阴极材料吸收汇聚太阳光产生大量的热电子，并将热电子发射到真空中再由...
戴文韬沈晓明吴婕郑冰欣赖彦洁
文献传递
低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)
2005年
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN 薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}φ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.
沈晓明王玉田王建峰刘建平张纪才郭立平贾全杰姜晓明胡正飞杨辉梁骏吾
关键词：X射线衍射金属有机物化学气相沉积氮化物
白光——光栅再现普通透射全息图原理被引量：5
2003年
根据全息术基本原理 ,从理论上分析得到了白光再现普通透射全息图获得各色像重合需要满足的条件 ,论述了利用光栅实现该条件的可行性 ,给出了辅助光栅、全息图与再现图像位置的关系方程 。
张卫平何小荣沈晓明
关键词：全息术清晰度光学
氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量被引量：2
2005年
测量了GaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性.分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流.紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在反向偏压下有较大增益,空间响应均匀性变差,在禁带内有两个增益响应峰波长--364nm和368nm.探测器在810nm光照射下,反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象.探测器紫外光照完后,俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来,经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小.测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据.
刘宗顺赵德刚朱建军张书明沈晓明段俐宏杨辉
关键词：氮化镓肖特基结紫外探测器反向偏置透明电极
一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置及其制备方法
本发明公开了一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置及其制备方法，该装置中的脉冲激光器发出的高能激光束被分光镜分为两束，分别经过两个聚焦透镜从窗口进入沉积室照射到In/GaN双靶材上，靶材表面被照射区域瞬间被烧蚀产生...
王婷沈晓明符跃春何欢莫观孔邹卓良黄山峰韦泽麒
文献传递
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长被引量：8
2004年
采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 Al N厚度在 7～ 1 3nm范围内 ,Ga N所受张应力最小 ,甚至变为压应力 .因此 ,Ga N微裂得以消除 .同时研究了 Al N插入层对 Ga N晶体质量的影响 ,结果表明 ,许多性能相比于没有 Al N插入层的 Ga
张宝顺伍墨陈俊沈晓明冯淦刘建平史永生段丽宏朱建军杨辉梁骏吾
关键词：GAN应力MOVPE
双级固溶处理对7A04铝合金组织与力学性能的影响被引量：4
2017年
对7A04铝合金进行了双级固溶+单级时效处理,采用正交试验研究了固溶温度和时间对该合金显微组织与力学性能的影响,得到了较优的双级固溶处理工艺。结果表明:优化的双级固溶处理工艺为450℃×30min+505℃×60min,采用该工艺固溶处理再经120℃×24h时效处理后,该铝合金的抗拉强度、屈服强度、伸长率和冲击功分别达到658.43 MPa,593.07 MPa,10.25%,9.681J;一级固溶是影响7A04铝合金力学性能的主要因素,而较高温度的二级固溶能使第二相、共晶夹杂物和金属间化合物大量溶入固溶体,并在随后的时效过程中以强化相的形式析出,进而改善合金的综合性能。
陈灵何欢符跃春沈晓明吴忠艺曾建民
关键词：7A04铝合金力学性能
GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究被引量：4
2009年
为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料(Eg>3.4eV)看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论(SCLC)分析由金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在VV2的区域电流电压遵循SCLC平方率。
李福宾林硕李建功沈晓明
关键词：GAN肖特基紫外探测器
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