洪霞
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：浙江大学信息科学与工程学院光电信息工程学系更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 基于表面等离子体共振增强的硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计研究被引量：5
- 2013年
- 金属-半导体-金属光电探测器的光栅结构可激发表面等离子体,有效增强探测器的吸收.为深入研究器件结构对于表面等离子体的激发及共振增强的影响,本文提出了一种具有超薄有源层的硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计方法.采用时域有限差分的方法详细分析了光栅周期、光栅厚度、光栅间距及有源层厚度对于表面等离子体共振增强器件性能的影响,通过仿真模拟获得了器件的最佳结构,详细地分析了各个界面激发的表面等离子体及其共振模式对于光谱吸收增强的机理.仿真结果表明,有源层锗的厚度为400 nm的超薄器件在通信波段具有较高的吸收,尤其在1550 nm波长处器件的归一化的光谱吸收率可以高达53.77%,增强因子达7.22倍.利用共振效应能够极大地提高高速器件的光电响应,为解决光电探测器响应度与响应速度之间的相互制约关系提供了有效途径.
- 洪霞郭雄彬方旭李衎叶辉
- 关键词：表面等离子体
- 非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计被引量：1
- 2015年
- 针对金属-半导体-金属(MSM)光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明,采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流,提高器件性能。
- 张诗雨洪霞方旭叶辉
- 关键词：暗电流
- 硅基锗金属—半导体—金属光电探测器的性能优化与设计研究
- 锗，因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势，在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度...
- 洪霞
- 关键词：光电探测器肖特基势垒表面等离子体时域有限差分
