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浦双双

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇晶体管
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇衬底
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇纳米
  • 5篇光刻
  • 4篇电路
  • 4篇掩膜
  • 4篇制备化学
  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇自对准
  • 4篇线条
  • 4篇介质膜
  • 4篇机械抛光
  • 4篇集成电路
  • 4篇超大规模集成
  • 4篇超大规模集成...
  • 4篇衬底材料

机构

  • 15篇北京大学

作者

  • 15篇艾玉杰
  • 15篇黄如
  • 15篇浦双双
  • 15篇郝志华
  • 13篇王润声
  • 8篇范春晖
  • 7篇安霞
  • 6篇许晓燕
  • 5篇樊捷闻
  • 5篇孙帅
  • 4篇云全新
  • 2篇王阳元

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 7篇2011
  • 4篇2010
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
文献传递
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
一种半导体纳米圆环的制备方法
本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声安霞
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如浦双双许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
文献传递
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
文献传递
一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
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