王一 作品数:62 被引量:16 H指数:2 供职机构: 贵州大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 贵州省科学技术基金 贵州省自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 一般工业技术 轻工技术与工程 更多>>
一种可夹持薄片的原子力显微镜样品台 本实用新型公开了一种可夹持薄片的原子力显微镜样品台,包括:底座,所述底座上表面固定连接两导板,两导板相互平行,两导板端部相互对齐,两导板相对的面上设有滑槽,滑槽与底座上表面平行;定位块,所述定位块包括2块,定位块两侧固定... 王一 王阳 宋家勇 郭祥 王继红 李军丽 杨晨 丁召文献传递 表面形貌对GaAs生长速率测量的影响 2023年 本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长,发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关,表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关,表面情况改变对生长速率会有一定的影响,导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线,可以获得一个准确的生长速率. 江玉琪 张丹懿 王一 王一 郭祥关键词:RHEED GAAS 表面形貌 生长速率 STM 一种水产饲料生产用成品填充装置 本发明公开了一种水产饲料生产用成品填充装置,包括固定杆、入料盖、输料管、固定装置、控制面板和垫板,所述固定杆的内侧装设有竖向导轨,且竖向导轨的右侧设置有滚轮,所述滚轮的外侧安装有活动块,且活动块的右侧固接有连接杆,所述储... 李荣隆 魏思瑶 王一 龙飞帆文献传递 一种STM探针针尖制备装置 本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置,包括:直流电源;底座;金属圈,金属圈位于探针夹持孔正前方,金属圈与直流电源的正极电连接;轻触开关,所述轻触开关串联在金属圈与直流电源之间;探针夹持座,所述探针夹持座上设有与探针... 王一 郭祥 王继红 李军丽 杨晨 罗子江 丁召文献传递 电化学液膜法腐蚀制备STM探针及其扫描应用 被引量:1 2016年 高质量的扫描探针是保证扫描隧道显微镜的超高分辨率的关键。为了制备出原子级分辨能力的探针,本文设计了新型制备扫描隧道显微镜探针装置。该装置在成功避免了传统制备方法的缺点同时,在制备可控性上有了很大的提高。基于此装置,采用电化学腐蚀的方法制备出扫描隧道显微镜探针,扫描电镜表征探针针尖显示尖端异常尖锐。应用于实际Ga As(001)表面扫描可以获得原子级分辨的扫描图,从而进一步证明了利用该新装置可以制备高质量STM探针针尖。 丁万 周勋 王一关键词:液膜法 电化学法 一种高稳定性的土木工程学习用测绘仪安装座 本实用新型公开了一种高稳定性的土木工程学习用测绘仪安装座,包括有底座,底座的底端设有固定桩,底座的上端连接有支撑座,支撑座的顶部设有锁紧块,支撑座的两侧活动连接有连杆,连杆的一端经转轴活动连接有支撑脚,连杆与支撑座之间设... 王一 吴垒 张永雄 陈丹文献传递 一种金属异形工件加工用新结构固定夹具 本发明提供一种金属异形工件加工用新结构固定夹具,包括调节滑槽,夹紧装置,转盘,高度调节槽,第一螺柱,调节螺套,第二螺柱和夹紧块;所述工作台的两侧开设有两处调节滑槽;所述夹紧装置安装于调节滑槽上;所述调节螺杆插设于环槽中并... 陶猛 王一 魏思瑶文献传递 基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响 2022年 液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释. 李家伟 丁召 丁召 李耳士 宋娟 蒋冲 王一 罗子江 王一关键词:成核 Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析 被引量:2 2018年 在As_4束流等效压强为1.2×10^(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导. 王一 杨晨 杨晨 杨晨 郭祥 魏节敏 王继红 罗子江 丁召关键词:ALGAAS 退火 GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程 被引量:2 2014年 采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。 罗子江 周勋 王继红 郭祥 王一 魏文喆 丁召关键词:STM