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AMOLED控制电路中的双节拍处理模式: 2007年; 提出了一种面对高分辨率的有源有机发光二极管(AMOLED)矩阵屏,减少向OLED屏写数据所用时间的方案。在协调数据的写入和读取方式上,提出了一种双节拍模式的控制驱动方法,即外设RAM设立双套模式,两套RAM交替对数据进行读写操作,并且采用两组驱动芯片分奇偶列同时向屏写数据。通过对所设计的控制电路进行仿真以及实测结果对照,表明该设计能节省写过程,为显示赢得了更多的时间,比预先的设计增长了31%,有利达到良好显示的效果。; 杭力刘建平郝大收高国保李学东王中吴春亚孟志国熊绍珍; 关键词：RAM

大屏幕投影拼接系统的设计被引量：6: 2007年; 设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除。但鉴于像素信号与亮度之间还应满足伽马(Gamma)关系,故在处理过程中同时进行了Gamma校正的设计。研究过程中,考虑到不同成像终端之间,在色度表征方式以及Gamma校正已有自身规则,可方便转换,文章从简化研究出发,首次采用当前计算机监视器的液晶屏为投影成像的终端,研究它的融合结果,并实测融合图像部分的光强,以检查融合的实际效果。发现采用简单的线性函数并选择2.15的Gamma校正值,较之未作伽马校正前的,能改善融合区与未处理区的亮度差异达两个量级。最后给出了经这样处理后在液晶显示屏上获得较为良好的拼接效果。; 柴海峰高国保郝大收李学东王中杭力刘召军孙鹏飞吴春亚孟志国熊绍珍; 关键词：数字光处理无缝拼接 GAMMA校正

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：8: 2006年; 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.; 赵淑云吴春亚刘召军李学冬王中孟志国熊绍珍张芳; 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

AMOLED控制电路中内嵌I^2C控制核的研究与实现: 2007年; 介绍了12.7 cm彩色有源选址的有机发光显示(AMOLED)控制电路中I2C控制核的设计方法,并且将其嵌入到FPGA中,实现了对该控制电路中所用AL 251、SAA7111A和AD9882多制式解码芯片的控制;给出了该I2C控制核对上述芯片进行实时控制时的仿真图和示波器显示出的实测结果。; 郝大收刘建平高国保李学东王中杭力吴春亚孟志国熊绍珍; 关键词：I2C总线 FPGA

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王中