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王昆黍

作品数:12 被引量:33H指数:4
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇核科学技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇晶体
  • 6篇CDZNTE
  • 4篇探测器
  • 4篇碲锌镉
  • 4篇碲锌镉探测器
  • 4篇CDZNTE...
  • 3篇有限元
  • 3篇表面钝化
  • 2篇钝化
  • 2篇阳极
  • 2篇氧化层
  • 2篇有限元法
  • 2篇真空蒸发沉积
  • 2篇平面电极
  • 2篇碲锌镉晶体
  • 2篇两步法
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇化学计量
  • 2篇核探测

机构

  • 12篇上海大学

作者

  • 12篇王昆黍
  • 11篇桑文斌
  • 11篇闵嘉华
  • 7篇钱永彪
  • 4篇李万万
  • 4篇秦凯丰
  • 4篇张斌
  • 3篇腾建勇
  • 3篇张奇
  • 3篇樊建荣
  • 3篇郁芳
  • 2篇曹泽淳
  • 2篇刘洪涛
  • 1篇徐宇辉
  • 1篇史伟民
  • 1篇谢广利
  • 1篇詹峰
  • 1篇田小林
  • 1篇陆国华
  • 1篇江滨清

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇上海有色金属
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法,具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法,属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表...
桑文斌闵嘉华王昆黍秦凯丰樊建荣钱永彪
文献传递
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制被引量:4
2004年
采用有限元法对探测器材料 Cd Zn Te的晶体生长过程进行了热分析 ,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响 .模拟结果表明 ,当坩埚下降速度约为 1m m/ h时 ,可获得接近水平的固 -液界面 .晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致 .因此 ,通过适当选择和调节坩埚下降速度可获得高质量晶体 .
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍曹泽淳
关键词:CDZNTE有限元法
核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法,具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法,属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表...
桑文斌闵嘉华王昆黍秦凯丰樊建荣钱永彪
文献传递
CdZnTe共面栅探测器电极设计及工艺研究
王昆黍
关键词:CDZNTE钝化电极制备有限元
高灵敏度核辐射仪及其无线监测系统的研制
桑文斌田小林钱永彪徐宇辉谢广利江滨清陆国华史伟民闵嘉华秦凯丰王昆黍刘洪涛
简要技术说明该项目成功解决了CsI闪烁晶体的材料质量控制、表面加工处理、与半导体光电管的耦合及封装、低噪声高增益电荷灵敏放大器等关键技术,完成了新型高灵敏度闪烁晶体放射性传感器的设计与试制工作,研究成功并能批量生产传感器...
关键词:
关键词:传感器
CdZnTe核辐射探测器材料与器件研究进展被引量:17
2004年
介绍了CdZnTe晶体作为γ 和X 射线探测器的优点和国内外的研究现状。概括了生长CdZnTe晶体的主要方法及其特点,总结了使用CdZnTe晶体制作的γ 和X 射线探测器的几种主要形式的特点及其应用领域。同时还根据目前的研究情况提出了在CdZnTe晶体生长和器件制作方面存在的问题和解决的方向。
李万万桑文斌王昆黍闵嘉华张斌
关键词:核辐射探测器晶体生长CDZNTE能谱仪
CdZnTe材料的表面钝化新工艺被引量:5
2005年
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.
王昆黍桑文斌闵嘉华腾建勇张奇夏军钱永彪
关键词:CDZNTE晶体表面钝化漏电流
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究被引量:3
2004年
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍曹泽淳
关键词:CDZNTE有限元法
钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响被引量:6
2003年
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 。
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍
关键词:CDZNTE晶体Γ射线探测器钝化处理漏电流
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法被引量:1
2006年
采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性。
闵嘉华桑文斌钱永彪王昆黍刘洪涛詹峰秦凯丰樊建荣
关键词:电子俘获
共2页<12>
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