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盛钢

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：科技部基础研究重大项目前期研究专项教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇表面声波
  • 1篇异质结
  • 1篇GA
  • 1篇X
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇四川大学

作者

  • 3篇盛钢
  • 2篇高宏雷
  • 2篇李玲
  • 2篇高洁

传媒

  • 2篇四川大学学报...

年份

  • 3篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流被引量：1
2004年
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响.
高宏雷盛钢李玲高洁
关键词：表面声波
二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响被引量：2
2004年
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.
盛钢高宏雷李玲高洁
关键词：二维电子气
二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响
高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义.该文在已有理论模型的基础上,着重研究了二维电子气(2DEG)深度对声电电流量子化特性的影响,得到了若...
盛钢
关键词：二维电子气表面声波
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