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石川诚

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：三菱化学株式会社更多>>

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 6篇基板
  • 5篇蚀刻
  • 5篇离子
  • 4篇蚀刻液
  • 4篇半导体
  • 3篇清洗液
  • 3篇污染
  • 3篇硝酸
  • 3篇金属
  • 3篇金属污染
  • 3篇复合污染
  • 3篇半导体器件
  • 2篇碘离子
  • 2篇镀金液
  • 2篇溶剂
  • 2篇离子型
  • 2篇离子型表面活...
  • 2篇活性剂
  • 2篇碘
  • 2篇表面活性

机构

  • 12篇三菱化学株式...
  • 1篇日本化成株式...

作者

  • 12篇石川诚

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件用基板的清洗方法及清洗液
本发明提供一种半导体器件用基板的清洗方法，该方法对附着在基板表面的微小粒子或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属的复合污染的除去性以及再附着防止性优异，不会腐蚀基板表面，并且即使不施加强的超声波也可以高度清洁化。本发明...
望月英章石川诚齐藤范之
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硝酸铵铈(Ⅳ)的制造方法
本发明的课题是从含铈溶液以高收率在短时间内回收高纯度铈化合物的方法，具体地提供从蚀刻废液等的含有铈的酸性水溶液以硝酸铵铈(IV)的形式回收铈的方法。本发明的硝酸铵铈((IV))的制造方法是从至少含有三价铈、四价铈、铵离子...
石川诚齐藤范之三好胜
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半导体器件用基板清洗液以及半导体器件用基板的制造方法
本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low－k)材料的清洗...
河瀬康弘池本慎伊藤笃史石川诚
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镀金液及镀金方法
本发明提供具有与氰类镀金液相当的性能的同时毒性小、并且稳定的镀金液。该镀金液的特征为，其含有碘离子、碘化金络合离子及非水溶剂。
水谷文一鹰羽宽石川诚河濑康弘
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半导体器件用基板清洗液以及半导体器件用基板的制造方法
本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗...
河瀬康弘池本慎伊藤笃史石川诚
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电解质溶液及用其形成氧化物膜的方法、层叠体及其制造方法和金属氧化物膜
本发明提供电解质溶液及用其形成氧化物膜的方法、层叠体及其制造方法和金属氧化物膜。在主要成分为金属的待处理材料的表面上，通过阳极氧化形成不具有细孔和粗糙表面的光洁的高品质氧化物膜。所述电解质溶液用于通过阳极氧化在主要成分为...
水谷文一榊原利明河瀬康弘石川诚
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镀金液及镀金方法
本发明提供具有与氰类镀金液相当的性能的同时毒性小、并且稳定的镀金液。该镀金液的特征为，其含有碘离子、碘化金络合离子及非水溶剂。
水谷文一鹰羽宽石川诚河濑康弘
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蚀刻方法以及蚀刻液的定量分析方法
本发明提供重复使用包含硝酸和磷酸的蚀刻液的金属蚀刻方法,即可以长时间维持蚀刻液的蚀刻能力的经改良的蚀刻方法。其根据下式(1)规定的酸成分对应浓度的测量结果进行重复使用前必要的浓度调节。酸成分对应浓度(重量%)=硝酸浓度(...
石川诚齐藤范之铃木竜畅小泽修一
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含钛层用蚀刻液以及含肽层的蚀刻方法
本发明提供含钛层用蚀刻液和含钛层蚀刻方法，所述蚀刻液是蚀刻形成在硅基板上或硅酸类玻璃基板上的以选自钛、钛氧化物、钛氮化物以及钛氧氮化物中的1种或2种或2种以上为主要成分的含钛层的蚀刻液，是含有氟硅酸的含钛层用蚀刻液，能够...
石川诚河瀬康弘齐藤范之
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铜的蚀刻液以及蚀刻方法
本发明提供铜的蚀刻液和蚀刻方法，其即使在其他金属共存的情况下，也能选择对铜或铜合金均匀地进行蚀刻。所述铜的蚀刻液至少含有草酸铵、过氧化氢和表面活性剂，并且表面张力为45mN/m以下，pH为6.0～8.5。草酸铵作为与铜形...
齐藤范之香月隆伸石川诚青木真澄
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共2页<12>
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