笪凯
- 作品数:7 被引量:2H指数:1
- 供职机构:厦门大学更多>>
- 发文基金:中国航空科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程更多>>
- 应用Monte Carlo方法对GaN基微型核电池的研究被引量:2
- 2013年
- 应用Monte Carlo方法,建立了电子入射到半导体材料中的路径模型。基于此模型进行仿真,可以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布。对以同位素Ni—63为放射源的GaN基PN结微型核电池进行Monte Carlo分析,得出入射电子在GaN中的穿透路径和能量分布,以确定入射电子在GaN中能量最集中的位置,将GaN基PN结的结深设置在该位置可以大幅提高收集效率,进而提高输出功率与能量转换效率。实验中,分别制备了结深为1000,450nm,放射源为Ni—63的GaN基微型核电池,测试结果验证了经优化结深为450 nm的微型核电池其电学输出性能有明显提高,能量转换效率达到了1.47%,输出功率达到了微瓦级。该结果可以为GaN基微型核电池的设计与制造提供有效的参考依据。
- 笪凯戴昌鸿郭航
- 关键词:MONTECARLO方法
- 基于MOCVD生长的GaN核电池的研究
- 采用MOCVD生长不同结构的GaN薄膜,对薄膜的材料质量、光学性质、电学性质进行了测试和分析。考虑GaN材料掺杂浓度、晶体质量等因素对基于GaN的核电池性能进行了理论分析。最后,利用微制造工艺制造了PN结型、PIN结型和...
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- 多孔硅PN结型核电池及其制备方法
- 多孔硅PN结型核电池及其制备方法,涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层;各层尺寸相同。所述制备方法:在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结;采用电化学阳极氧化的...
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- GaN肖特基结型核电池及其制备方法
- GaN肖特基结型核电池及其制备方法,涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n‑GaN层、肖特基金属层、SiO<Sub>2</Sub>保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上...
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- 文献传递
- 多孔硅PN结型核电池及其制备方法
- 多孔硅PN结型核电池及其制备方法,涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层;各层尺寸相同。所述制备方法:在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结;采用电化学阳极氧化的...
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- 文献传递
- 微型核电池的理论与实验研究
- 微型核电池由于具有能量密度大、寿命长、受环境影响小、与MEMS工艺兼容等优点,成为了为MEMS和微/纳器件供电的重要能源。Si基微型核电池由于受到Si材料禁带宽度的限制,输出电压和转换效率仍较低。GaN是一种宽禁带半导体...
- 笪凯
- 关键词:结构参数欧姆接触电极晶体薄膜
- GaN肖特基结型核电池及其制备方法
- GaN肖特基结型核电池及其制备方法,涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO<Sub>2</Sub>保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上...
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