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简二梅

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇P型
  • 3篇P型ZNO
  • 2篇P型ZNO薄...
  • 1篇电学性能
  • 1篇氧化锌
  • 1篇英文
  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇施主
  • 1篇施主掺杂
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒大小
  • 1篇溅射
  • 1篇合金
  • 1篇二元合金
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SUB

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇简二梅
  • 2篇叶志镇
  • 2篇赵炳辉
  • 1篇刘暐昌
  • 1篇顾修全
  • 1篇何海平
  • 1篇刘伟昌
  • 1篇朱丽萍

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
相关度排序
一种以NH<Sub>3</Sub>作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法
本发明公开了一种以NH<Sub>3</Sub>作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以In金属为施主掺杂源，以NH<Sub>3</Sub>为N源并作为受主掺杂源制成的。以ZnIn...
叶志镇简二梅刘伟昌赵炳辉
文献传递
In-N共掺制备p型ZnO与ZnMgO薄膜及其性能的研究
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具潜力的应用是在光电器件领域。室温下ZnO的禁带宽度宽为3.37 eV，激子结合能为60 m...
简二梅
关键词：氧化锌半导体材料禁带宽度电学性能
文献传递
在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文)被引量：1
2008年
采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。
简二梅叶志镇刘暐昌何海平顾修全朱丽萍赵炳辉
关键词：ZNO薄膜
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