苗伟
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 缺陷对石墨烯电子结构的影响被引量：5
- 2011年
- 基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone-Wales缺陷使石墨烯带隙由0 eV增至0.637 eV,单空位缺陷使带隙由0 eV增至1.591 eV,双空位缺陷使带隙由0 eV增至1.207 eV。
- 苗亚宁苗伟郑力李洋贠江妮张志勇
- 关键词：石墨烯电子结构DFT
- 缺陷对石墨烯电子结构的影响
- 基于第一性原理计算方法，通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现，多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态...
- 苗亚宁苗伟郑力李洋贠江妮张志勇
- 关键词：半导体材料石墨烯电子结构计算方法
- 石墨烯制备及其缺陷研究
- 石墨烯的出现在科学界激起了巨大波澜,这在于它严格的二维结构具有许多极佳的物理性质,蕴涵着许多潜在的应用。石墨烯是一种零带隙的二维材料,其中的碳原子通过SP2轨道杂化构成了二维蜂窝状结构。石墨烯具有良好的导热性、高强度和超...
- 苗伟
- 关键词：石墨烯氧化还原法第一性原理FE掺杂
- 文献传递
