董海亮
- 作品数：108 被引量：85H指数：4
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金山西省基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种烷基溴代咔唑衍生物室温磷光材料及其制备和应用
- 本发明公开了一种烷基溴代咔唑衍生物室温磷光材料，其通过烷基链连接两个咔唑基团，并在一个咔唑基团的3,6位连接有溴取代基，具有如下结构通式。本发明的室温磷光材料在365nm紫外光激发下可实现单分子材料的近白光发射，具有室温...
- 孙静贾钧森吴董宇牛佐吉王华董海亮许并社
- 文献传递
- 一种基于吩噻嗪的有机单分子双发射材料及其制备和应用
- 本发明公开了一种基于吩噻嗪的有机单分子双发射材料，为具有以下所示结构式的化合物。本发明通过给体‑受体‑给体型D‑A‑D'结构的光物理性质、激发态性质与发光性质关系的研究，选择酮基衍生物作为电子受体，通过缩短吩噻嗪与酮基之...
- 孙静王智恒崔江峰董海亮王华
- 电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响被引量：4
- 2022年
- 采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分(0~0.07~0.16)、三角形渐变组分(0~0.16~0)、左阶梯渐变组分(0.16~0.07~0)。结果表明,与传统均匀组分EBL结构相比,Al组分阶梯渐变Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N EBL LD导带底的电子势垒显著提高,价带顶的空穴势垒降低。这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率,从而提高有源区载流子浓度,进而提高有源区辐射复合效率。当注入电流为0.48 A时,采用Al组分阶梯渐变Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N EBL结构能将器件开启电压从5.1 V降至4.9 V,光学损耗从3.4 cm^(-1)降至3.29 cm^(-1),从而使光输出功率从335 mW提高至352 mW,电光转换效率从12.5%提高至13.4%。此外,讨论了Al组分阶梯渐变EBL结构对GaN基蓝光LD光电性能的影响机制。该结构设计将为外延生长高功率GaN基LD提供实验数据和理论支撑。
- 杜小娟刘晶董海亮贾志刚张爱琴梁建许并社
- 关键词：电子阻挡层AL组分光电性能
- 一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构
- 本发明属于半导体光电子材料领域，提供了一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区、电子阻挡...
- 贾志刚卢太平董海亮梁建马淑芳贾伟李天保许并社
- 文献传递
- 1300nm应变补偿量子阱激光器光电性能研究
- 2023年
- 为了提升1300nm半导体激光器的光电特性,采取k·p方法的激光器模拟软件SiLENSe设计了GaAsSb/GaAsP/InGaAsSb应变补偿激光器,调控了有源区的能带结构,并对该结构进行了仿真计算。结果表明,与传统InGaAsSb/GaAsSb有源区对比,应变补偿结构LD2阈值电流从135mA降低至95mA。在15 A的注入电流下,工作电压从138 V降低至125 V,其输出功率从107W提高到121W,电光转换效率从521提高至646。这主要由于在势垒中引入张应变改善了有源区的能带结构,从而使载流子的泄漏受到抑制,器件性能得到了显著提升。该有源区的设计将对制备高性能中红外单模半导体激光器具有重要的理论参考价值。
- 吴亚宁董海亮贾志刚贾伟贾伟许并社
- 关键词：半导体激光器输出功率阈值电流
- N_2流量对GaN的形貌及光学和电学性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、Xray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析。结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构;样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰;所有样品均为p型;并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析。
- 翟化松王坤鹏余春燕翟光美董海亮许并社
- 关键词：GAN纳米线化学气相沉积
- AlGaN/GaN纳米异质结构中的二维电子气密度研究被引量：1
- 2023年
- 本文设计了纳米线核壳AlGaN/GaN异质结构,研究了势垒层厚度、Al组分、掺杂浓度对平面和纳米线异质结构中二维电子气(2DEG)浓度的影响规律。结果表明,随着势垒层厚度的逐渐增大,两种结构中2DEG浓度增速逐渐减缓,当达到40 nm后,由于表面态电子完全发射,2DEG浓度逐渐稳定不变。随着Al组分的增加,极化效应逐渐增强,使得两种结构在异质界面处的2DEG浓度都逐渐增加。当掺杂浓度逐渐提高时,两者在异质界面处电势差增大,势阱加深,束缚电子能力加强,最终导致2DEG浓度逐渐增加,当掺杂浓度增加到2.0×10^(18)cm^(-3)后,2DEG面密度达到最大值。与平面结构相比,纳米线结构可以实现更高的Al组分,在高Al组分之下,2DEG面密度最高可达5.13×10^(13)cm^(-2),相比于平面结构有较大的提高。
- 杨帆许并社董海亮董海亮梁建张爱琴
- 关键词：ALGAN/GAN纳米线结构
- 一种Y型噻吨酮-咔唑分子的设计、合成及其蓝光和黄光有机发光二极管应用
- 2024年
- 采用噻吨酮作为受体,9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑作为给体,设计合成了一种Y型分子,命名为TX-Ph2Cz.化合物在稀释的溶液中展示了位于420 nm处的蓝光发射,且其发射峰在不同极性的溶剂中基本不变.在四氢呋喃/水的混合溶剂中,随着含水量的增加发射峰红移了36 nm.从其单晶结构中可以看出化合物具有很多分子间相互作用,分子间的π…π作用有助于实现分子间的电荷转移.化合物TX-Ph2Cz在掺杂器件(质量分数3%)中展示了位于440 nm的蓝光峰,而在非掺杂器件中则展示了位于540 nm处的黄光峰,这是因为在薄膜中化合物自身形成了电致激基缔合物.同时,非掺杂器件展示了更好的电致发光性能,最大电流效率和最大外量子效率分别达到4.91 cd/A和2.64%.
- 孙静樊志杰杜纪宽李硕苗艳勤苗艳勤董海亮王华
- 关键词：激基缔合物
- n波导层铟组分对GaN基绿光激光二极管光电性能的影响被引量：3
- 2021年
- 高功率GaN基激光二极管外延结构理论仿真对提高GaN基激光二极管的光电性能具有重要的指导意义。设计了一种n侧双波导结构的绿光激光二极管外延结构,讨论了激光器外延结构中n-In_(x)Ga_(1-x)N波导层中铟组分对其光电性能的影响,揭示了n-In_(x)Ga_(1-x)N波导层对激光二极管光电性能的影响机制。通过调控n-In_(x)Ga_(1-x)N波导层中铟组分,调控外延层中的光场分布,使光场发生了偏移。结果表明,当n侧In_(x)Ga_(1-x)N波导层中铟组分最佳值为0.07时,将光子损耗降低了0.2 cm^(-1),阈值电流由193.49 mA降低到115.98 mA,此外,器件的光子损耗最少,阈值电流最小,工作电压最低,从而提高了激光二极管的输出功率和电光转换效率。因此,当绿光激光二极管的注入电流密度为6 kA/cm^(2)时,功率输出达234.95 mW。n侧双波导结构设计为制备高功率绿光激光二极管提供了理论指导和数据支撑。
- 贾甜甜董海亮贾志刚张爱琴梁建许并社
- 关键词：绿光光场分布
- 边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法
- 本发明边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法；技术方案为：边发射激光器光束整形结构...
- 董海亮许并社贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建
