蒋晶
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：天津理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。
- 白潇程晓曼樊剑锋蒋晶郑灵程吴峰
- 关键词：有机场效应晶体管栅绝缘层PVA
- 基于溶液化方法制备有机场效应晶体管的研究
- 在过去近三十年来，有机场效应晶体管(OFETs)由于在大面积、低成本和柔性化有机电子产品方面的潜在应用前景而受到学术界和工业界的极大关注，成为有机电子学中的研究前沿领域之一。研究OFETs不仅为了解有机电子学的一些基本问...
- 蒋晶
- 关键词：有机场效应晶体管
- 文献传递
- 旋涂速度对制备P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)
- 2015年
- 采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明,当P3HT和PMMA的旋涂速度均为2 000 r/min时,器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2cm2·V-1·s-1。结果表明,选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。
- 蒋晶郑灵程王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管PMMA
- 衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响
- 2015年
- 通过衬底加热和氧化钼(Mo O3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3cm2/(V·s)提高到2.25×10-1cm2/(V·s),阈值电压由12 V降低到3 V。器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而Mo O3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入。因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段。
- 郑灵程蒋晶王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管电极修饰
