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利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究: 本文利用多孔阳极氧化铝作为模板，将贴有模板的衬底在分子束外延生长系统中进行锗的沉积，通过不同的工艺选择，研究了其对于自组装锗纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状...; 皇甫幼睿张磊詹文博叶辉; 关键词：多孔氧化铝模板

环形叉指电极型压电鼓膜驱动器的制备及其性能测试被引量：4: 2013年; 制备了一种基于Pb(Zr52Ti48)O3(PZT52)材料的自适应光学用压电驱动器。驱动器采用鼓膜结构,其工作区域由主动层—PZT52压电层和被动层—ZrO2/Si复合层两部分构成。PZT52压电层采用环形叉值电极(IDT)驱动。采用Si(100)单晶作为衬底,并采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在其上制备ZrO2阻挡层和PZT52压电层,其中引入PbTiO3(PT)种子层有利于PZT52膜层的(110)择优取向。随后在其上热蒸镀Al顶电极,并采用光刻方法制备图形,得到的IDT电极最大环形直径为10.5mm,电极间距为0.05mm,中心非激活区域直径为2mm。鼓膜结构则通过对Si衬底背部进行各向异性湿法刻蚀(ODE)得到,保留的支持层厚度为5～10μm,直径为12mm。测试结果表明,压电驱动器阵列单元在100kV/cm驱动下,可产生6.5μm左右的形变量。最后利用有限元分析方法(FEM)拟合了压电驱动器单元的面型,并分析了其形变模式产生的内部原因。; 尹伊曹贵川祁康成叶辉詹文博

一种生长有序硅基锗量子点的方法: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高密度有序锗量子点的方法。它首先利用阳极多孔氧化铝贴在RCA清洗过的硅片表面，通孔后放入分子束外延生长设备中进行锗量子点的生长。之后通过高温退火过程除掉模板，而留下周期排布的锗量子点结构。采...; 叶辉张磊皇甫幼睿詹文博

一种生长有序硅基锗量子点的方法: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高密度有序锗量子点的方法。它首先利用阳极多孔氧化铝贴在RCA清洗过的硅片表面，通孔后放入分子束外延生长设备中进行锗量子点的生长。之后通过高温退火过程除掉模板，而留下周期排布的锗量子点结构。采...; 叶辉张磊皇甫幼睿詹文博; 文献传递

利用纳米结构模板生长高质量硅锗材料: 锗，由于自身独特的基本物理化学性质，使得其在微电子和光电子领域内具有广泛而光明的应用前景。锗具有能够与现有硅CMOS集成电路制造工艺兼容的特点，这是其他半导体材料无法比拟的优势。高密度、尺寸均一且空间有序的锗量子点可以应...; 詹文博; 关键词：分子束外延锗量子点二氧化硅; 文献传递

氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究被引量：1: 2011年; 以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图。拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放。; 张磊叶辉皇甫幼睿詹文博刘旭; 关键词：纳米微结构分子束外延成核

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詹文博