- 掺杂LiNbO/_3薄膜制备及铁电铁磁性能研究
- 随着信息技术的飞速发展，集铁电性与铁磁性于一体的单相多铁材料受到人们的广泛关注，其在多态存储元件、自旋电子器件、存储介质、换能器、传感器和多功能设备等方面有重要的潜在应用。本文利用射频磁控溅射的方法，在Si/(111/)...
- 许丽丽
- 关键词：射频磁控溅射掺杂铁磁性铁电性
- 文献传递
- 非晶态SiO_2过渡层对生长C轴取向LiNbO_3薄膜的影响
- 2011年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10～50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高C轴取向,C轴取向的织构系数(TC)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的C轴取向反而变弱。
- 肖庆安玉凯李响许丽丽吴一晨段岭申刘技文
- 关键词：磁控溅射C轴取向
