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许小红: 作品数：168 被引量：276H指数：10; 供职机构：山西师范大学化学与材料科学学院更多>>; 发文基金：山西省自然科学基金国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

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一种晶体管器件及其应用和制备: 本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道，沟道与晶体管器件的源极和漏极连接，沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法，以及该种晶体管器件的制备...; 薛武红许小红杨瑞龙吕宝华次文娟庞瑞雪

(HAINH)_n(n=1～6)簇的结构、红外光谱和热力学性质的研究: 2000年; 用自洽场理论（ＨＦ）和密度泛函理论（ＤＦＴ）的Ｂ３ＬＹＰ方法，在６－３１Ｇ＾＊水平上研究了ＨＡＩＮＨ的低聚物（ＨＡＩＮＨ）ｎ（ｎ＝１～６）簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质，并比较了（ＨＡＩＮＨ）ｎ和（ＣＩＡＩＮＨ）ｎ两种低聚物对应结构中化学键强弱，分析了引起（ＡＩＮ）ｎ骨架结构发生变化的原因。结果表明，（ＨＡＩＮＨ）ｎ簇的基态结构为Ｃｓ（ｎ＝１），Ｄ２ｈ（ｎ＝２），Ｄ３ｈ（ｎ＝３）; 武海顺许小红张聪杰金志浩; 关键词：DFT方法几何构型红外光谱热力学

应变对Cr掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3块材磁性的影响研究: 拓扑绝缘体具有螺旋形的狄拉克表面态，能够在没有任何热耗散的情况下输运自旋电流，因此在自旋电子学领域引起了极大的关注.特别是，最近研究较热的量子现象，量子反常霍尔效应.解决电脑发热，能量耗散等一系列难题会成为未来计算机和信...; 陈娟杨应萍齐世飞许小红

Co/ZnO薄膜中电阻相关的室温磁电阻效应: 由于金属和半导体间存在较大的电导失配，室温下电子从磁性金属到半导体的自旋注入效率非常低。最近，在磁性金属/半导体薄膜中发现了较大的室温磁电阻效应[1-3]，这引起人们越来越多的关注。; 全志勇刘薇许小红; 关键词：磁控溅射磁电阻效应电阻

ZrO_2-SiC复合材料的制备及导电特性的研究被引量：2: 1998年; ＺｒＯ２－ＳｉＣ复合材料的制备及导电特性的研究许小红任引哲（山西师范大学化学系临汾０４１００４）宋波毛裕文（北京科技大学物化系北京１０００８３）关键词氧化锆碳化硅复合材料热压烧结电阻率中图分类号Ｏ６１４．４１２近十几年来，电热体材料的研制开发和利用已...; 许小红任引哲宋波毛裕文; 关键词：氧化锆碳化硅复合材料电阻率

(XN)_4R_4簇合物的结构与化学键被引量：1: 2002年; 用密度泛函理论,在B3LYP/6-311G水平上,对(XN)4R4(X=C,Si,Ge;R=H,CH3,NH2,OH)及合成的先驱化合物(XN)2R2进行几何构型、电子结构、振动频率和化学反应焓变等进行了研究.结果表明,(RCN)4比(CNR)4更稳定.所有簇合物的零点能EZP值,R=H时最小,R=CH3时最大,R配位原子依次为C、N和O时,EZP值逐渐减小.; 武海顺许小红张聪杰张富强; 关键词：密度泛函理论方法化学键族合物几何构型

Co1_(-x)Pt_x薄膜的结构与磁学性能被引量：3: 2005年; 采用直流磁控溅射法制备了Co1_(-x)Pt_x合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律。通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构。VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6A/m左右,x>46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化。退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多。; 许小红段静芳杨治广武海顺; 关键词：COPT 矫顽力磁学性能

补偿性共掺的石墨烯体系的磁性和电子结构: 体自旋电子学是磁性和半导体的有机结合[1].使石墨烯产生磁性和能隙对以石墨烯为基础的自旋电子学的发展起着至关重要的作用.迄今为止,石墨烯纳米带、氢化石墨烯[8]、在石墨烯中引入碳空位(如纳米洞)等几种方法能够使石墨烯同时...; 雒艳锋齐世飞许小红; 关键词：石墨烯铁磁性

层状磁性拓扑绝缘体VBi_(2)Te_(4)的第一性原理研究: 2021年; 层状磁性拓扑绝缘体MnBi_(2)Te_(4)的发现为探索新颖的量子现象(例如,量子反常霍尔效应和轴子绝缘态等)提供了新的契机。本文利用第一性原理软件VASP系统研究了与MnBi_(2)Te_(4)具有相同构型的新型磁性材料VBi_(2)Te_(4)的磁学、电学以及拓扑特性。研究结果发现VBi_(2)Te_(4)可以稳定存在,并且该材料可以很容易剥离至单层。计算结果表明块体VBi_(2)Te_(4)的层间耦合为反铁磁排列,当不考虑自旋轨道耦合作用时,该体系具有约为0.7 eV的能隙;而考虑自旋轨道耦合作用后,体系的能隙变为0.12 eV且伴随有能带的翻转。进一步的拓扑不变量(Z_(2))和边界态计算表明反铁磁VBi_(2)Te_(4)是三维磁性拓扑绝缘体。对于块体铁磁的VBi_(2)Te_(4),当不考虑自旋轨道耦合作用时,体系的能隙约为0.66 eV;同样地,自旋轨道耦合作用可以引起能带的翻转。随后的边界态计算证明铁磁的VBi_(2)Te_(4)也具有拓扑特性。该研究工作表明,与层状磁性拓扑绝缘体MnBi_(2)Te_(4)一样,磁性VBi_(2)Te_(4)块体材料也具有拓扑特性,其有望来实现各种有趣的拓扑量子态。; 张会生王颖颖杨文佳张晶晶张晶晶; 关键词：第一性原理计算拓扑不变量