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许旺

作品数:6 被引量:6H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇电路
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米管
  • 3篇集成电路
  • 2篇互连
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇等离子体
  • 1篇低介电常数
  • 1篇定向碳纳米管
  • 1篇多层布线
  • 1篇多孔
  • 1篇铜互连
  • 1篇平坦化
  • 1篇膜制备
  • 1篇纳米膜
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇金刚石

机构

  • 6篇天津理工大学

作者

  • 6篇许旺
  • 4篇张楷亮
  • 3篇苗银萍
  • 2篇王芳
  • 2篇宋殿友
  • 2篇袁育杰
  • 1篇朱晓松
  • 1篇张涛峰
  • 1篇田博
  • 1篇杨保和
  • 1篇胡凯
  • 1篇林新元
  • 1篇吴晓国
  • 1篇曲长庆
  • 1篇王莎莎
  • 1篇魏军
  • 1篇李福龙
  • 1篇黄艳祥
  • 1篇王飞
  • 1篇陈政

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
超高声速材料金刚石纳米膜制备及平坦化技术研究
张楷亮苗银萍王芳袁育杰曲长庆吴晓国王莎莎张涛峰许旺
近年来,随着无线通讯技术的高速发展,使得无线通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。人们对高数据传输速率的要求使得声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高。该发展趋势迫使广大研究学者不断探索高质量超高声速材料制备技术和微细...
关键词:
极大规模集成电路碳纳米管互连基础及关键工艺研究
张楷亮魏军王芳袁育杰苗银萍宋殿友许旺林新元朱晓松胡凯田博
随着集成电路特征尺寸的进一步微细化,互连线所承载的电流密度越来越大,正在挑战Cu互连线的极限(106A/cm<'2>),尤其是ITRS预测技术时代进入32纳米后,互连线的电流承载密度将达107A/cm<'2>,这将超越C...
关键词:
关键词:集成电路碳纳米管
IC互连碳纳米管关键技术研究——高密度催化剂及定向碳纳米管的制备与表征
随着集成电路特征尺寸的微细化,多层互连电子散射和晶界散射引起的电阻增大效应日益严重,当芯片特征尺寸缩小到30nm时互连线的电流承载密度将达到107A/c㎡,这是目前的铜互连无法承受的。这一致命的缺陷迫使集成电路行业必须寻...
许旺
关键词:集成电路多层布线碳纳米管
基于ARM7的静电探针测量仪的设计被引量:1
2011年
设计了一种以ARM7为核心的静电探针自动测量仪,能够满足等离子参数测量的需要.该测量仪由A/D模块,D/A模块,以及隔离放大模块构成,可以实现对等离子体I-V特性曲线的获得,通过计算和分析伏安特性曲线从而获得等离子体密度和温度等相关参数.该系统具有成本低廉、携带方便、易于实用化等优势.
许旺陈政李福龙黄艳祥王飞苗银萍宋殿友张楷亮
关键词:等离子体伏安特性曲线A/DD/A
新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展被引量:4
2009年
多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。
许旺张楷亮杨保和
关键词:化学机械抛光铜互连低介电常数多孔
IC互连碳纳米管关键技术研究
随着集成电路特征尺寸的微细化,多层互连电子散射和晶界散射引起的电阻增大效应日益严重,当芯片特征尺寸缩小到30nm时互连线的电流承载密度将达到10~7A/cm~2,这是目前的铜互连无法承受的。这一致命的缺陷迫使集成电路行业...
许旺
关键词:集成电路互连碳纳米管催化剂
文献传递
共1页<1>
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