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许秀娟

作品数:9 被引量:13H指数:3
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇损伤层
  • 2篇碲镉汞薄膜
  • 2篇各向异性
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇SI衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇电镜
  • 1篇短波
  • 1篇衍射
  • 1篇液相外延
  • 1篇中短波
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇扫描电镜研究
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇射电

机构

  • 9篇华北光电技术...

作者

  • 9篇许秀娟
  • 4篇折伟林
  • 2篇巩锋
  • 2篇周翠
  • 2篇沈宝玉
  • 1篇宋淑芳
  • 1篇周立庆
  • 1篇王丛
  • 1篇王经纬
  • 1篇王文燕
  • 1篇晋舜国
  • 1篇李春领
  • 1篇田璐
  • 1篇高达
  • 1篇田震
  • 1篇付伟

传媒

  • 6篇激光与红外
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外
  • 1篇2007年红...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
碲镉汞分子束外延所用的Si衬底清洗的现状与进展
2007年
综述了碲镉汞分子束外延所用的si衬底的传统RCA清洗方法和改进的RCA清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限.最后介绍了碲镉汞分子束外延所用的Si衬底清洗方法的进展.
许秀娟
关键词:SI衬底RCA清洗各向异性
Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究被引量:4
2012年
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。
折伟林田璐晋舜国许秀娟沈宝玉王文燕
关键词:扫描电子显微镜分子束外延液相外延
碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法及应用被引量:3
2015年
碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的原理和功能;并对评价方法进行了具体应用,得到了非常有价值的实验结果。这对碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的认识和后续的工艺优化具有非常重要的指导意义。
许秀娟田震
关键词:碲镉汞减薄损伤层
碲镉汞薄膜减薄损伤的扫描电镜研究
2017年
对由碲镉汞薄膜减薄工艺导致的损伤层的研究至关重要。采用扫描电镜研究了碲镉汞薄膜经减薄工艺后的损伤层,获得了非常有价值的实验结果。结果对由碲镉汞薄膜减薄工艺形成损伤层的认识和后续的工艺优化具有非常重要的指导意义。
许秀娟周哲折伟林付伟李春领
关键词:碲镉汞损伤层
Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征
2018年
报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。
高达王经纬王丛许秀娟
关键词:HGCDTE阻挡层
Al_xGa_(1-x)As材料低Al组分PL测试技术的研究
2013年
采用激光显微光致发光(PL)光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱,研究了光致发光测试方法的特点,结合文献中报道的低Al组分的经验计算公式,自主开发了能进行光谱数据处理和Al组分计算的VB应用程序,目前已进入实用化。结果显示,该程序的开发和应用是获取低Al组分AlxGa1-xAs材料Al组分的非常重要的表征手段,并为研究和优化AlxGa1-xAs材料生长工艺提供指导,同时还成为筛选用于制作器件工艺合格材料的重要依据。
许秀娟巩锋折伟林宋淑芳周翠
关键词:ALXGA1-XASAL组分光致发光
最大熵迁移率谱分析的发展与应用
2017年
最大熵迁移率谱分析方法是用于研究和获得材料电学参数一种测试手段。它克服了传统的固定磁场霍尔测量方法的缺点,可以获得更多更准确的电学信息。本文介绍了最大熵迁移率谱分析方法的基本原理和特点,论述了最大熵迁移率谱分析方法的发展与应用,最后展望了最大熵迁移率谱分析方法的应用前景。
许秀娟
关键词:迁移率碲镉汞
碲锌镉晶体Zn组分的光致发光实用化研究被引量:7
2013年
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Zn组分结果用X射线双晶衍射进行验证,结果显示,室温下显微光致发光测得的Zn组分是相对准确可信的,可作为大量常规工艺测定Zn组分的有效工具,并且获得的Zn组分可成为外延碲镉汞薄膜时筛选匹配衬底的重要依据,同时还为研究和优化碲锌镉晶体生长工艺提供重要帮助。
许秀娟折伟林周翠沈宝玉巩锋周立庆
关键词:碲锌镉CDZNTE光致发光X射线双晶衍射
碲镉汞分子束外延所用的Si衬底清洗的现状与进展
综述了碲镉汞分子束外延所用的 Si 衬底的传统 RCA 清洗方法和改进的 RCA 清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限。最后介绍了碲镉汞分子束外延所用的 Si 衬底清洗方法的进展。
许秀娟
关键词:各向异性
文献传递
共1页<1>
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