谭利文
- 作品数：6 被引量：21H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市青年科技骨干培养基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜被引量：1
- 2000年
- 采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
- 严辉谭利文宋雪梅王波陈光华姚振宇刘立明程业浩
- 关键词：SIC
- 工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响
- 2000年
- 本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.
- 邓金祥谭利文王波严辉陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射工作气压
- SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究
- 本文采用偏压辅助射频溅射法，在单晶Si、石英和不锈钢衬底上沉积SiC
薄膜，在衬底没有附加热源加热的条件下，成功地制备出具有（111）择优取向的
微晶SiC薄膜，并研究了主要的...
- 谭利文
- 文献传递
- 用SiC薄膜作防氚渗透阻挡层的研究被引量：17
- 2002年
- 采用分步偏压辅助射频溅射法在 316L不锈钢表面制备SiC薄膜 ,作为聚变堆第一壁及包层结构材料的氚渗透阻挡层。扫描电镜观察表明 ,制备的膜致密、均匀 ,且与基体结合牢固。X射线衍射分析表明 ,膜具有(111)面择优取向的 β SiC微晶结构。傅里叶变换红外光谱分析发现 ,对应于 β SiC的Si C键存在伸缩振动吸收峰。采用中间复合过渡层技术 ,可以提高SiC膜与不锈钢基体的结合强度。测量了 5 0 0℃时带有SiC膜的 316L不锈钢的氚渗透率 ,与表面镀钯膜的 316L相比 ,氚渗透率减低因子 (PRF)值达到 10 4 以上。溅射时衬底偏压和射频功率要影响膜的结构 ,从而影响PRF值。根据分析结果 ,从不同的膜制备工艺中初步筛选出了合适工艺。
- 姚振宇严辉谭利文韩华
- 关键词：SIC薄膜射频溅射聚变堆
- 射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响
- 本文采用偏压辅助射频溅射法,在高阻单晶硅(100)和316L不锈钢双面杯衬底上沉积SiC薄膜,研究了射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响.在不同射频功率下制备SiC薄膜,并测试了SiC薄膜的傅立叶红外光谱(FTIR)、...
- 谭利文王玫王波宋雪梅陈光华严辉姚振宇
- 关键词：SIC薄膜射频
- 文献传递
- 工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响
- 本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验研究.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N<,2>气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸...
- 邓金祥谭利文王波严辉陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射工作气压衬底温度立方相
- 文献传递
