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贾晓华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北工业大学电气工程学院更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇离子注入
  • 1篇晶体管
  • 1篇硅
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇天津电子材料...

作者

  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇李光平
  • 1篇贾晓华

传媒

  • 1篇河北工业大学...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响
1999年
通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ）的饱和漏－源电流分布研究了深施主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅（Ｓｉ）激活率的影响，发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增加，讨论了ＥＬ２影响硅注入激活率的机理．
杨瑞霞贾晓华付浚李光平
关键词：砷化镓离子注入硅场效应晶体管
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共1页<1>
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