赵妙
- 作品数：53 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家电网公司科技项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法
- 本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基...
- 赵妙刘新宇郑英奎彭铭曾魏珂欧阳思华
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- 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法
- 本发明公开一种石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构氮化镓基HEMT器件倒装封装结构及方法，该封装结构自下而上依次包括基板、形成于基板上的绝缘介质层、形成于绝缘介质层上的散热层、制备在散热层上的源电极焊盘、漏电极焊...
- 赵妙刘洪刚张国斌吴宗刚常虎东孙兵
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- 一种碳化硅功率器件封装结构
- 本发明提供一种碳化硅器件封装结构，包括：芯片，用于实现器件的主要功能；基板，用于连接到芯片并提供散热；塑封体，用于提供芯片和基板的外部塑封；其中基板表面的中间部位设置有凸起的键合部，芯片表面设置有凹进的键合配位部，当基板...
- 张国斌赵妙金智许恒宇何在田万彩萍刘新宇
- AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
- 2011年
- 利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.
- 王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂
- 关键词：HEMT费米能级C-V特性
- 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法
- 本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表...
- 赵妙王鑫华刘新宇郑英奎李艳奎欧阳思华魏珂
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- 一种检测器件肖特基漏电模式的方法
- 本发明公开了一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确...
- 赵妙王鑫华刘新宇郑英奎魏珂
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- 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法
- 本发明公开了一种对采用J-V标准法提取的肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法，包括：结合GaN高电子迁移率晶体管器件结构，推导无界面层或者界面层在20埃以内的可视为理想肖特基势垒高度因镜像力而导致的降低量<Image ...
- 王鑫华赵妙刘新宇
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- 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法
- 本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，V<Sub>r</Sub><Su...
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- 4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
- 2016年
- 碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。
- 王嘉铭钮应喜裴紫微赵妙杨霏李俊杰李俊峰张静许恒宇金智刘新宇
- 关键词：SIC肖特基势垒二极管结终端技术耐压性能
- GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法
- 本发明公开了一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，包括：采集待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线，获得待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其...
- 赵妙刘新宇郑英奎李艳奎欧阳思华
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