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赵杰

作品数:64 被引量:104H指数:5
供职机构:天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市教委基金更多>>
相关领域:电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>

文献类型

  • 54篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 24篇电子电信
  • 19篇理学
  • 17篇医药卫生
  • 9篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 20篇离子注入
  • 14篇抗菌性
  • 9篇离子束
  • 8篇
  • 7篇TIN膜
  • 6篇离子束辅助
  • 6篇离子束辅助沉...
  • 6篇抗腐蚀
  • 6篇抗腐蚀性
  • 6篇空位
  • 6篇腐蚀性
  • 6篇半导体
  • 6篇INGAAS...
  • 5篇量子阱混合
  • 5篇量子阱结构
  • 5篇磷化铟
  • 5篇抗菌性研究
  • 5篇INGAAS...
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化钛

机构

  • 64篇天津师范大学
  • 6篇天津市泌尿外...
  • 4篇渭南师范学院
  • 3篇西安大略大学
  • 2篇天津医科大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇福州大学
  • 1篇湖北汽车工业...
  • 1篇南开大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇孝感学院
  • 1篇中央民族学院
  • 1篇天津市胸科医...

作者

  • 64篇赵杰
  • 19篇王永晨
  • 13篇唐慧琴
  • 10篇刘桐
  • 9篇顾汉卿
  • 8篇冯宏剑
  • 8篇李德军
  • 6篇张晓丹
  • 6篇白人骥
  • 5篇郑津辉
  • 5篇郭希铭
  • 5篇陆茉珠
  • 4篇刘谦祥
  • 4篇才学敏
  • 4篇杨格丹
  • 4篇刘明成
  • 3篇丁福庆
  • 3篇张学华
  • 3篇孙学良
  • 3篇刘福润

传媒

  • 8篇天津师范大学...
  • 6篇天津师大学报...
  • 4篇核技术
  • 4篇功能材料
  • 4篇半导体光电
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇Journa...
  • 3篇发光学报
  • 3篇透析与人工器...
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇光子技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇摩擦学学报(...
  • 1篇生物医学工程...
  • 1篇渭南师范学院...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇飞通光电子技...
  • 1篇天津纺织工学...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 6篇2007
  • 7篇2006
  • 4篇2005
  • 8篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 5篇2001
  • 7篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
64 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
2006年
离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空住扩散(IFVD)方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合(QWI)的重要方法。本文采用磷离子注入(注入能量为160keV,剂量分别为1×10^11,1×10^12,1×10^13,3×10^13,7×10^14ion/cm^2)和用无杂质空位扩散(PECVD 200nm SiO2电介质膜)相结合的方法来实现InGaAsP/InP多量子阱的混合(高纯氮保护下进行快速热退火,退火温度为780℃,退火时间为30s)。同时,和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现,先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小,而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明,离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时,SiO2中的缺陷也起到促进作用。
陈杰杨格丹王永晨赵杰
关键词:量子阱混合
镀铜碳纳米管的抗菌性研究被引量:3
2006年
用离子束辅助沉积(IBAD)方法在碳纳米管表面制备铜膜。用琼脂平板法测试了抗菌率,测试菌种为革兰氏阴性大肠杆菌(E.coil)和革兰氏阳性金黄色葡萄球菌(S.aureus);通过扫描电子显微镜(SEM)观察了镀铜碳纳米管的微观结构特征;X射线光电子能谱(XPS)分析了镀铜碳纳米管表面各元素的价态。结果表明,镀铜碳纳米管具有很好的抗菌性能,且其抗菌性能要比在硅片(100)上镀铜的样品强很多。
刘桐唐慧琴张学华赵杰孙学良
关键词:抗菌性碳纳米管
离子束辅助沉积TiN/Ag多层膜的抗菌性和抗腐蚀性研究
用离子束辅助沉积(IBAD)方法在医用不锈钢317L上制备TiN/Ag多层膜。用振荡平板法测试了样品的抗菌率,测试菌种为革兰氏阴性大肠杆菌(E.coil)和革兰氏阳性金黄色葡萄球菌(S.aureus);用电化学腐蚀的方法...
刘桐唐慧琴张魁赵杰
关键词:多层膜抗菌性抗腐蚀性
文献传递
用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP( InGaAsP)/InP结构
2001年
用氦离子等离子体辅助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究 结果发现,PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了 这一外延层,测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。
白人骥赵杰
关键词:分子束外延掺杂
类金刚石碳膜和氮化钛的摩擦学性能研究被引量:5
2003年
报道了在相同条件下用磁控溅射方法在硅片上制备类金刚石膜和氮化钛薄膜的研究结果,比较了两种镀膜在机械性能和结构上的效果.实验结果表明,氮化钛薄膜虽有很高的表面硬度,但其摩擦系数、表面粗糟度比类金刚石膜要高得多.而类金刚石膜虽有很低的摩擦系数和光滑的表面,但表面硬度比氮化钛薄膜小.因此,结合两种膜的优点有可能制备高硬度、耐磨性强、表面光滑的新型复合材料.
刘谦祥郭希铭赵杰李德军
关键词:类金刚石碳膜氮化钛薄膜磁控溅射表面强化工艺摩擦学
不锈钢及其基底上TiN膜注银的XRD、XPS、AES分析
本文研究银离子注入不锈钢及以不锈钢为基底的TiN膜的微观结构对其抗菌机理的影响。XRD、XPS、AES分析的结果表明Ag+注入没有影响TiN(111)择尤取向。AES深度分析计算表明TiN膜厚约为4920nm。银在不锈钢...
冯宏剑郑津辉赵杰
关键词:离子注入
Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析
用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilat...
冯宏剑赵杰
关键词:IBADPAT
文献传递
离子束轰击硅橡胶表面键合状态的研究被引量:1
1991年
本文研究了医用硅橡胶材料被离子束轰击后,其表面浸润性,白蛋白吸附性的变化,硅橡胶样品分别在40,60,80,100keV能量下注入N^+和A_r^+,注入剂量范围为2×10^(12)×10^(17)cm^(-2)。注入后的样品测量了水接触角和白蛋白吸附量。结果表明:随注入剂量的增加,表面水接触角从86°降低到59°。表面白蛋白的吸附量从16μg/cm^2增长到32μg/cm^2。用傅立叶变换衰减全反射红外光谱[FT—IR—ATR]研究了注入后表面键合状态,发现离子束打断了一些表面化学键,形成了一些新的自由基。扫描电子显微镜观察到注入前后表面形貌的变化。
赵杰顾汉卿陆茉珠
关键词:离子注入硅橡胶
SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
2003年
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.
王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成
关键词:PECVD光纤通讯
不锈钢及其基底上TiN膜注银XRD、XPS、AES分析
本文研究银离子注入不锈钢和在不锈钢基底上生长的TiN膜的微观结构和组分。XRD、XPS、AES分析的结果表明银离子注入没有影响TiN(111)择优取向。AES深度分析计算表明TiN膜厚约为4920 nm。银在不锈钢和Ti...
冯宏剑赵杰郑津辉王菊霞
关键词:多弧离子镀离子注入
文献传递
共7页<1234567>
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