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邓光华

作品数：11 被引量：19H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇红外
  • 6篇PTSI
  • 4篇势垒
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基势垒
  • 4篇CCD
  • 3篇线列
  • 3篇红外CCD
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇感器
  • 2篇CCD图像
  • 2篇CCD图像传...
  • 2篇IR
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇倒装焊
  • 1篇倒装焊接
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器

机构

  • 11篇重庆光电技术...
  • 1篇中国科学院云...

作者

  • 11篇邓光华
  • 5篇熊平
  • 4篇李平
  • 3篇周旭东
  • 3篇易平
  • 3篇唐遵烈
  • 2篇何剑
  • 1篇彭秀华
  • 1篇钟四成
  • 1篇袁礼华
  • 1篇曹文达
  • 1篇李华高
  • 1篇王颖
  • 1篇刘娅琳
  • 1篇邓涛
  • 1篇李作金
  • 1篇张坤
  • 1篇李仁豪
  • 1篇蒋志伟
  • 1篇杨文宗

传媒

  • 9篇半导体光电

年份

  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2000
  • 1篇1991
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波HgCdTe红外焦平面列阵
1991年
概述了以 Hg_(1-x)Cd_xTe 体材料和双异质结构外延材料为衬底,采用平面工艺研制成两种不同结构的光伏二极管列阵与用 MOS 工艺制作的信号处理器互联而成的8×8长波红外焦平面列阵。它的响应波长已达到10μm,D~*大于2×10~9cmHz^(1/2)W^(-1),非均匀性小于50%,R_0一般大于200kΩ,个别达到1MΩ以上。
杨文宗邓光华刘昌林
关键词：红外焦平面
256×256高帧频可见光CCD的研制被引量：1
2004年
　采用三相全帧帧转移结构和常规的CCD工艺,设计并研制了一种高速摄像用256×256元高帧频可见光CCD成像器件。器件光敏元采用MOS结构,尺寸为10μm×10μm,4信号抽头输出,占空比100%。测试结果表明,器件工作波长为0.4～1.1μm,光灵敏度为0.05lx(峰值波长处,积分时间40ms),帧速为500帧/秒,动态范围大于等于54dB,响应非均匀性小于等于2%。
邓光华周旭东张坤钟四成
关键词：CCD图像传感器高帧频动态范围
8×4元TDI光导型HgCdTe红外焦平面组件的研制被引量：1
2004年
　介绍了8×4元时间延迟积分(TDI)光导型HgCdTe红外焦平面的工作原理,给出了组件结构、读出电路的电气结构图、时序驱动波形图。针对组件结构,阐明了组件电路的设计原则、提高动态范围的关键技术,最后讨论了组件存在的一些问题以及今后努力的方向。
彭秀华李仁豪邓光华刘娅琳
光刻工艺中缺陷来源的分析被引量：12
2005年
针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。
邓涛李平邓光华
关键词：光刻
512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器被引量：4
2003年
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。
熊平周旭东邓光华李作金王颖李华高袁礼华蒋志伟
关键词：PTSICCD图像传感器
1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
2005年
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000K黑体测得探测率D^*为9．8×10^*cm·Hz^1/2。·W^-1。器件响应不均匀性为4．8％。介绍器件设计及性能测试结果。
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30 μm×30μm。器件采用品字形排列,占空比为100%。1024位探测器存储的电...
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
文献传递
PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究
2000年
采用倒装焊接技术 ,实现了PtSi 2 56× 2 56IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。
邓光华何剑屈伟
关键词：倒装焊接PTSI
PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测被引量：1
2000年
采用PtSi 2 56× 2 56元IRCCD器件对FeI 1.56 μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 2 56× 2 56元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟 ,实际观测结果与模拟符合较好。
何剑邓光华曹文达周旭东
关键词：PTSI红外天文观测相机
1 024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
本文介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为30μm×30μm.器件采用品字形排列,占空比为100％.1024位探测器存储的...
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD电荷耦合器件
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