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邹秦

作品数:14 被引量:55H指数:5
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇陶瓷
  • 4篇压敏
  • 4篇晶界
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻器
  • 3篇压敏电阻
  • 3篇压敏电阻器
  • 3篇氧化锌
  • 3篇SR
  • 2篇氧化锌压敏电...
  • 2篇氧化锌压敏电...
  • 2篇氧化钛
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇离子
  • 2篇功能陶瓷
  • 2篇半导体
  • 2篇SRTIO
  • 2篇CA
  • 1篇导体

机构

  • 14篇西安交通大学

作者

  • 14篇邹秦
  • 9篇孟中岩
  • 5篇刘阳春
  • 3篇姚熹
  • 2篇蔡赵辉
  • 1篇陈国岗
  • 1篇张清琦
  • 1篇张良莹
  • 1篇孙鸿涛
  • 1篇周歧发
  • 1篇李建华

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇材料科学进展
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇首届中国功能...
  • 1篇第二届全国敏...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1989
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ca^(2+)离子对Na扩散(Sr,Ca)TiO_3系电容-压敏陶瓷结构与性能的影响被引量:3
1993年
研究了Ca^(2+)离子(<50mol%)对Na扩散(Sr,Ca)TiO_3系电容-压敏陶瓷结构与性能的影响.XRD及IR吸收谱的实验结果表明,Ca^(2+)离子的加入,使立方钙铁矿结构发生畸变.这些结构上的变化,使得当Ca^(2+)离子含量增加时.晶粒电阻率上升,晶粒尺寸减小;在Ca^(2+)离子的含量约小于30mol%时,随Ca^(2+)离子含量的增加,经Na扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加,压敏电压降低.尤其是Ca^(2+)离子含量在10~30mol%时,ρ=6~9×10^(-2)(Ω·cm),ε_(eff)=9~13×10~4,V_(imA)<10V/mm,α>5.论文还对该陶瓷的结构与性能的关系进行了理论分析.
邹秦刘阳春孟中岩
关键词:氧化钛陶瓷压敏电阻器
一种高稳定的氧化锌压敏电阻器的制造方法
邹秦卢春如孟中岩
关键词:氧化锌压敏电阻器生产工艺尖晶石
PbTiO_3微粉与环氧树脂精细复合材料的制备与特性被引量:16
1992年
本文主要对 PbTiO_3微粉在低含量下与环氧树脂复合的材料制备和特性进行了研究。通过对不同固化电场所制备样品的 XRD、介电频谱、光散射和紫外吸收光谱分析,结果表明:固化电场对复合材料的电学和光学性能有较大影响。并对电场作用的机理进行了探讨。
周歧发邹秦张良莹姚熹
关键词:复合材料超微粉光学材料电场
(Sr1-xCax)TiO3电容—压敏陶瓷中Ca2+的作用
1引言电子器件的集成化、多功能化促进了探索陶瓷的多功能化。从八十年代开始,具有电容—压敏复合功能的SrTiO陶瓷由于其低的压敏电压。大的介电系数和高的耐浪涌能力,在自动控制、半导体线路、集成电路中已表现出有广泛的应用前景...
邹秦刘阳春孟中岩
文献传递
涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷晶界叠加势垒模型被引量:13
1996年
根据涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷的晶界结构特点、热扩散分布与压敏电压的关系,提出了两晶粒之间的n-n′-i-n′-n的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导了晶界势垒高度与扩散层深度的公式,对实验数据、晶界势垒高度及其在晶界的分布进行了模拟,其结果明确地说明了扩散层深度增加,晶界势垒高度提高,从而VlmA提高,并证明了叠加势垒模型比Schottky势垒模型更加合理。
邹秦孟中岩
关键词:陶瓷钛酸锶
掺Y^(3+)、La^(3+)的(Sr,Ca)TiO_3系多功能陶瓷被引量:4
1996年
用稀土离子Y(3+)、La(3+)对(Sr,Ca)TiO3掺杂,以Ba-Si-Al玻璃为助熔剂,在1350~1450℃还原性气氛中烧成,获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低(10(-2)Ω·cm)、非线性高(α达10以上)的陶瓷材料。在制备过程中省略了以往用碱金属离子涂覆并进行热扩散的工序。用缺陷化学理论,根据测量的ICTS谱、I-V特性和C-V特性系统研究了Y(3+)、La(3+)掺杂对晶粒半导化、压敏特性和介电特性的影响。热处理过程中,O-的化学吸附是这类陶瓷产生晶界势垒的主要原因。
邹秦蔡赵辉孟中岩
关键词:陶瓷TIO3陶瓷钇离子镧离子
籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响
1989年
采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。
邹秦姚熹孟中岩
关键词:压敏电阻器氧化锌籽晶电阻器
用甲酸盐/柠檬酸盐制备(Sr_(1-x)Ca_x)TiO_3微粉的研究被引量:6
1994年
本文采用甲酸盐/柠檬酸盐溶液酒精脱水的方法制备出均匀的、结晶的、立方钙钛矿结构的(Sr1-xCax)TiO3微粉.借助于XRD、SEM、TEM及粒度分析等现代分析手段,研究了粉末的相结构、粒度、组成以及微观形态.研究表明,(Sr1-xCax)TiO3粉末的粒径和组成与溶液的pH值、焙烧温度、酒精与溶液的比例,以及酒精清洗、干燥步骤等因素有关.此外,还考察了粉末的烧结性能.
邹秦刘阳春李明红孟中岩
关键词:半导体陶瓷陶瓷粉末
制备钛酸锶系多功能陶瓷的液相涂覆法
本发明公开一种陶瓷技术领域的制备钛酸锶系多功能陶瓷的液相涂覆法,其工艺步骤为:第一步,用常规方法制备钛酸锶陶瓷基片,抛磨,称重;第二步,根据基片的重量配制一定浓度的碱金属盐溶液;第三步,将一定量的碱金属盐溶液涂覆到基片表...
孟中岩邹秦陈国岗蔡赵辉刘阳春李建华
文献传递
多孔硅材料的电致发光特性及多孔形成机理的研究被引量:5
1997年
系统考察了衬底硅材料的掺杂类型、晶向、阳极氧化电流密度、时间等工艺条件对多孔硅电致发光特性的影响,考察了其微观结构.实验表明,电流密度的增大或氧化时间的增长,使多孔硅的光发射谱(PL)“蓝移”、发光持续时间延长,当HF与乙醇的配比为11时,有较强的发光强度.多孔硅具有“树枝”状或“网”状的结构,其形成与电流密度、硅基片的类型、掺杂浓度以及晶向有关.用DLA(Difusion-LimitedAg-gregation)模型研究了多孔硅的多孔形成过程和机理,讨论了多孔硅的多孔形成与工艺条件的关系.
邹秦张清琦
关键词:多孔硅电致发光半导体
共2页<12>
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